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龙图腾网获悉东南大学;南京集成电路设计自动化技术创新中心申请的专利一种预测半导体场效应管金属功函数波动效应的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117521571B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311479243.3，技术领域涉及：G06F30/3308；该发明授权一种预测半导体场效应管金属功函数波动效应的方法是由杨兰兰;李怡宁;何延杰;刘怡呈;屠彦设计研发完成，并于2023-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种预测半导体场效应管金属功函数波动效应的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种预测半导体场效应管金属功函数波动效应的方法，包括求解多组金属功函数条件下的目标器件，提取器件工作过程中的电学特性参数，组成构建金属功函数波动效应预测模型所需要的数据集；根据数据集中不同电学特性参数与金属功函数的拟合关系，计算得到金属功函数波动效应预测模型拟合函数并验证，得到经过验证的预测模型；根据工艺生产过程中金属功函数波动产生的机制建立金属功函数波动分布概率模型，并生成金属功函数波动随机分布样本；向验证完毕的预测模型输入待预测的器件金属功函数波动随机分布样本，得到该器件在金属功函数波动下电学特性参数的波动分布。本发明能够快速准确地预测器件性能受金属功函数波动影响产生的效应。

本发明授权一种预测半导体场效应管金属功函数波动效应的方法在权利要求书中公布了：1.一种预测半导体场效应管金属功函数波动效应的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤： 步骤1，对多组金属功函数条件下的目标器件进行求解，获取对应漏极电压下目标器件的漏极电流和栅极电压关系曲线并从中提取目标器件的阈值电压、工作电流、关断电流的电学特性参数，构建预测电学参数的模型所需要的数据集； 从上述求解得到的器件的漏极电流与栅极电压关系曲线组提取该器件的线性区阈值电压Vth,lin、饱和区阈值电压Vth,sat、线性区工作电流Ion,lin、饱和区工作电流Ion,sat、线性区关断电流Ioff,lin、饱和区关断电流Ioff,sat、线性区亚阈值摆幅SSlin、饱和区亚阈值摆幅SSsat和漏致势垒降低效应DIBL的电学特性参数组成的向量组 步骤2，根据上述数据集计算目标器件不同电学特性参数向量组与金属功函数W的拟合函数，得到金属功函数波动效应预测模型拟合函数并通过上述数据集的实际值与预测模型拟合函数值的均方误差MSE以及相关系数验证金属功函数波动效应预测模型拟合函数的合理性；金属功函数波动效应预测模型拟合函数具体的求解方法用多种数值拟合的方法实现，包括多项式拟合算法、傅里叶级数拟合算法、Smooth平滑拟合算法、最小二乘拟合算法； 步骤3，根据工艺生产过程中金属功函数波动产生的机制建立金属功函数波动分布概率模型，并在此概率模型的基础上生成金属功函数波动随机分布样本； 步骤4，向验证完毕的金属功函数波动效应预测模型输入待预测的目标器件金属功函数波动随机分布样本，得到该器件在金属功函数工艺波动下阈值电压、工作电流、关断电流的电学特性参数的波动分布。

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