广东先导微电子科技有限公司曾小东获国家专利权
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龙图腾网获悉广东先导微电子科技有限公司申请的专利高纯硼中痕量溴的去除方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117263199B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311325000.4，技术领域涉及：C01B35/02；该发明授权高纯硼中痕量溴的去除方法是由曾小东;戴曲珂;朱柏浩;徐成设计研发完成，并于2023-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本高纯硼中痕量溴的去除方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种高纯硼中痕量溴的去除方法，包括以下步骤：A将高纯硼块粉碎，得到硼粉；B将硼粉清洗、干燥后，使用氮化硼器皿装载置于石英管内，通入氧气，加热使硼粉表面氧化；C氧化结束后，通入氮气并升温，使表面的氧化硼融化；D通入氢气，进行反应，生成的溴化氢从石英管的另一端排出。本发明中的方法操作简单、无污染、效率高、易于规模化生产、生产成本低。溴含量可以稳定小于20ppb的水平，达到MBE源的使用要求。
本发明授权高纯硼中痕量溴的去除方法在权利要求书中公布了：1.高纯硼中痕量溴的去除方法，包括以下步骤： A将高纯硼块粉碎，得到硼粉； B将硼粉清洗、干燥后，使用氮化硼器皿装载置于石英管内，通入氧气，加热使硼粉表面氧化；所述步骤B中氧化的温度为250～300℃； C氧化结束后，通入氮气并升温至550～700℃，使表面的氧化硼融化； D通入氢气，进行反应，生成的溴化氢从石英管的另一端排出； 所述氢气的流量为100～500Lh；所述步骤D中反应的温度为600～800℃。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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