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龙图腾网获悉温州医科大学申请的专利一种硅基SERS基底材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117418220B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311213662.2，技术领域涉及：C23C18/18；该发明授权一种硅基SERS基底材料及其制备方法是由靳磊;王晓杰;惠琦设计研发完成，并于2023-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅基SERS基底材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅基SERS基底材料及其制备方法，主要包括硅表面刻蚀、Ag化学还原和AuAg电置换反应等三个步骤。得到的硅基SERS基底材料在785nm激发光下具有强的SERS活性增强因子EF107、表面均匀性RSD15％、批次一致性RSD15％、化学稳定性和水稳定性。本发明方法快速简便、成本低廉，有望用于商业化的SERS基底材料生产，用于潜在的商业化SERS应用中。

本发明授权一种硅基SERS基底材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基SERS基底材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 1将硅材料分别用丙酮、乙醇、去离子水各超声清洗5～10min； 2使用CuCl2H2O2HF混合体系刻蚀硅材料，得到表面含有Cu颗粒的，且刻蚀有倒金字塔阵列的硅表面结构SiAINP； 3将含有Cu颗粒的SiAINP置于稀硝酸溶液中去除表面的Cu颗粒； 4将硝酸处理后的SiAINP用纯化水洗净后，浸泡于HF溶液中，去除表面氧化物，并形成Si-H键； 5将SiAINP置于AgNO3HF混合溶液中，室温轻摇，得到表面镀有Ag纳米颗粒的Ag@SiAINP； 6将Ag@SiAINP用纯化水清洗后，再次浸泡于HF溶液； 7将Ag@SiAINP置于HAuCl4HF混合溶液反应，取出后经清洗后得到产物； 步骤2中CuCl2浓度为5～20mM，H2O2浓度为0.2～0.6M，HF体积浓度为2.5％～10％； 步骤5中AgNO3浓度为1～5mM，HF体积浓度为5～10％，反应时间为10～30s； 步骤7中HAuCl4浓度为1.25～3mM，HF体积浓度为5～10％，反应温度为50～60℃，反应时间为10～30min； 步骤7中清洗的溶液依次为饱和食盐水、0.5～1％HF溶液和纯化水，清洗时间分别为8～10min。

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