深圳市原速光电科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市原速光电科技有限公司申请的专利原子层沉积设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117305810B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311156869.0,技术领域涉及:C23C16/455;该发明授权原子层沉积设备是由请求不公布姓名设计研发完成,并于2023-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本原子层沉积设备在说明书摘要公布了:本发明公开了一种原子层沉积设备,包括:盖体具有反应腔;承载台设置于反应腔中,承载台用于放置基片且承载台能够转动;反应腔包括多个反应区域,反应区域设置有进气部,且相邻的两个反应区域之间设置有气体隔离部,进气部包括第一进气口,气体隔离部包括第一排气口、第二进气口、第二排气口和第三进气口,第一排气口围绕于第一进气口的外围,第二进气口围绕于第一排气口的外围,第二排气口围绕于第二进气口的外围,第三进气口围绕于第二排气口的外围,第一排气口和第二排气口均用于让气体排出,第二进气口和第三进气口均用于通入惰性气体。本发明的原子层沉积设备,能够实现较好的隔离效果,并且加工效率较快。
本发明授权原子层沉积设备在权利要求书中公布了:1.原子层沉积设备,其特征在于,包括: 盖体,具有反应腔; 承载台,设置于所述反应腔中,所述承载台用于放置基片,且所述承载台能够转动; 其中,沿所述承载台的旋转方向,所述反应腔包括多个反应区域,所述反应区域设置有进气部,且相邻的两个所述反应区域之间设置有气体隔离部,其中,所述进气部包括第一进气口,所述第一进气口用于让反应气体进入所述反应腔,所述气体隔离部包括第一排气口、第二进气口、第二排气口和第三进气口,所述第一排气口围绕于所述第一进气口的外围,所述第二进气口围绕于所述第一排气口的外围,所述第二排气口围绕于所述第二进气口的外围,所述第三进气口围绕于所述第二排气口的外围,所述第一排气口和所述第二排气口均用于让气体从所述反应腔排出,所述第二进气口和所述第三进气口均用于向所述反应腔通入惰性气体; 所述原子层沉积设备还包括升降机构,所述升降机构连接于所述承载台,所述升降机构能够使所述承载台上升或者下降,以使所述承载台靠近或者远离所述第一进气口; 所述承载台包括本体部和凸出部,所述凸出部连接于所述本体部的边缘,并向下凸出于所述本体部,所述盖体包括下盖,所述下盖设置有容纳槽,所述凸出部滑动设置于所述容纳槽中,所述凸出部用于将所述反应腔分为互相分隔的第一腔和第二腔,所述进气部和所述气体隔离部设置在所述第一腔中,所述升降机构设置在所述第二腔中。
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