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龙图腾网获悉陕西煤业化工技术研究院有限责任公司申请的专利一种银纳米线触控模组及制备方法、触摸屏及终端设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117070946B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311034203.8，技术领域涉及：C23F1/02；该发明授权一种银纳米线触控模组及制备方法、触摸屏及终端设备是由闫国栋;高淑珍;隋曦;刘涵辛;解江涛;雷国伟;梁雨轩;杨钊设计研发完成，并于2023-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种银纳米线触控模组及制备方法、触摸屏及终端设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种银纳米线触控模组及制备方法、触摸屏及终端设备，包括在柔性基材上涂布银纳米线墨水，形成银纳米线层，在银纳米线层上涂布OC层，在OC层上涂布正性光刻胶，形成正性光刻胶层，得到正性光刻胶覆盖银纳米线薄膜；然后在黄光下进行曝光和显影，刻蚀，退膜；对退膜后的银纳米线薄膜进行丝印银浆和激光蚀刻，分别贴合上下线和OCA胶，得到银纳米线触控模组。本发明可达到蚀刻纹路精细且不易发生侧蚀的效果，并采用极性有机溶剂与碱性溶剂相混合的退膜液，解决了蚀刻过程中蚀刻纹严重和退膜过程中出现二次染色的问题，保证了银纳米线触控模组的耐候性，具有蚀刻速度快和成本低廉的优点，适应于大规模工业化生产的优势。

本发明授权一种银纳米线触控模组及制备方法、触摸屏及终端设备在权利要求书中公布了：1.一种银纳米线触控模组的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 在柔性基材上涂布银纳米线墨水，形成银纳米线层，在银纳米线层上涂布OC层，在OC层上涂布正性光刻胶，形成正性光刻胶层，得到正性光刻胶覆盖银纳米线薄膜； 将正性光刻胶覆盖银纳米线薄膜在黄光下进行曝光和显影； 采用蚀刻液对显影后的薄膜进行刻蚀；蚀刻液包括氧化盐与弱酸；氧化盐为次氯酸盐、亚氯酸盐、次溴酸盐、亚溴酸盐与次碘酸盐中的至少一种； 酸为苹果酸、葡萄糖酸、甲酸、乳酸、苯甲酸、丙烯酸、醋酸、丙酸与硬脂酸中的至少一种； 对刻蚀图案化后的银纳米线薄膜进行退膜；对刻蚀后的薄膜进行退膜的过程为：将刻蚀后的薄膜在脱膜液中浸泡10s-120s，清洗10s-120s，吹干；脱膜液为体积比0-2:1的碱性溶液与极性有机溶剂的混合物； 对退膜后的银纳米线薄膜进行丝印银浆和激光蚀刻，分别贴合上下线和OCA胶，得到银纳米线触控模组； 采用蚀刻液对显影后的薄膜进行刻蚀具体过程为：将显影后的薄膜在蚀刻液中浸泡10s-360s，水洗10s-180s； 蚀刻液的制备方法为：向氧化盐溶液中加入0.1molL-0.4molL的酸溶液，然后加入0.6molL-3molL的酸溶液，搅拌0.3h-2h，得到pH值为4-11的蚀刻液；其中，氧化盐溶液与0.1molL-0.4molL的酸溶液的体积比1-2:1； 极性有机溶剂为丙酮、二甲基亚砜、N-甲基吡咯烷酮、丙二醇甲醚醋酸酯、甲醇、四甲基乙二胺与四氢呋喃中的至少一种； 碱类溶液为氢氧化钠、氢氧化钾与碱性氨基酸中的至少一种的溶液。

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