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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种双模耦合独立可控的小尺寸四频带带通滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116722333B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310910463.0，技术领域涉及：H01P1/208；该发明授权一种双模耦合独立可控的小尺寸四频带带通滤波器是由朱舫;徐德念;矫孟儒设计研发完成，并于2023-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双模耦合独立可控的小尺寸四频带带通滤波器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双模耦合独立可控的小尺寸四频带带通滤波器，包括顶层金属层、中间金属层、底层金属层、介质层、第一端口、第二端口、第一金属化通孔阵列、第二金属化通孔阵列、第三金属化通孔；利用类FSIW通带谐振器的第一、第二模式构造第一、第二通带，具有尺寸小、封闭性的优点，利用类FSIW阻带谐振器的第一、第二模式将第一、第二通带分别分裂成两通带，构造了四频带滤波器，通过改变通带谐振器与阻带谐振器之间耦合窗长度独立控制第一模式之间的耦合，通过改变连接通带谐振器与阻带谐振器的微带的宽度独立控制第二模式之间的耦合，滤波器可以独立控制各模式的耦合量。

本发明授权一种双模耦合独立可控的小尺寸四频带带通滤波器在权利要求书中公布了：1.一种双模耦合独立可控的小尺寸四频带带通滤波器，包括： 介质层4； 顶层金属层1，位于介质层4的上表面； 中间金属层2，位于介质层4内； 底层金属层3，位于介质层4的下表面； 其特征在于： 所述介质层4内设有贯穿所述介质层4的第一金属化通孔阵列7，所述第一金属化通孔阵列7包括多个分别与顶层金属层1、底层金属层3、中间金属层2连接的第一金属化通孔，并围合成2×2阵列分布的第一至第四矩形框； 第一至第四矩形框中相邻矩形框间采用一条公共边； 第一矩形框与第二矩形框的公共边开有第一窗口，第一矩形框与第二矩形框的外侧边分别开有第二窗口、第三窗口；第一矩形框与第二矩形框关于公共边轴对称设置；第一矩形框与第三矩形框的公共边开有第四窗口，第二矩形框与第四矩形框的公共边开有第五窗口； 所述第一窗口、第二窗口、第三窗口、第四窗口、第五窗口均无第一金属化通孔设置；所述第二窗口位置处设有第三金属化通孔阵列9；所述第三金属化通孔阵列9包括多个连接底层金属层3、中间金属层2的第三金属化通孔；所述第三窗口位置处设有第二金属化通孔阵列8，所述第二金属化通孔阵列8包括多个连接顶层金属层1、中间金属层2的第二金属化通孔； 由顶层金属层1、底层金属层3、中间金属层2、介质层4和第一至第四矩形框共同构建得到第一类FSIW矩形腔（2-a）、第二类FSIW矩形腔（2-b）、第三类FSIW矩形腔（2-c）、第四类FSIW矩形腔（2-d）； 第一类FSIW矩形腔（2-a）、第二类FSIW矩形腔（2-b）均为通带谐振器，第三类FSIW矩形腔（2-c）、第四类FSIW矩形腔（2-d）均为阻带谐振器； 所述第一窗口作为两个通带谐振器在公共侧壁处的耦合窗q1；所述第四窗口、第五窗口分别作为每个通带谐振器与相邻的阻带谐振器在公共侧壁处的耦合窗q2、q3； 第一类FSIW矩形腔（2-a）的靠近第三类FSIW矩形腔（2-c）侧、第二类FSIW矩形腔（2-b）的靠近第四类FSIW矩形腔（2-d）侧、第三类FSIW矩形腔（2-c）的靠近第一类FSIW矩形腔（2-a）侧、第四类FSIW矩形腔（2-d）的靠近第二类FSIW矩形腔（2-b）侧各自在所述中间金属层2开有一个紧贴第一金属化通孔的缺口，且位于耦合窗q2两侧的缺口连通，位于耦合窗q3两侧的缺口连通；耦合窗q2所在的两个连通缺口内加载有第一带状线，所述第一带状线紧贴第二窗口所在第一金属化通孔阵列，且与所述中间金属层2无缝连接；第一带状线的宽度D12小于耦合窗q2的宽度W12；耦合窗q3所在的两个连通缺口内加载有第二带状线，所述第二带状线紧贴第三窗口所在第一金属化通孔阵列，且与所述中间金属层2无缝连接；第二带状线的宽度小于耦合窗q3的宽度。

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