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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利存储器结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317110B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310857029.0，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权存储器结构的形成方法是由侯振太;乔春羽;曾沙设计研发完成，并于2023-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种存储器结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括基底和若干有源区，有源区之间具有隔离层；形成若干存储栅结构，相邻存储栅结构之间具有第一间隔槽或第二间隔槽，第一间隔槽宽度尺寸小于第二间隔槽宽度尺寸；形成第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层，所述第二阻挡层填充满第一间隔槽且未填充满第二间隔槽；第三阻挡层暴露出第一间隔槽内的第二阻挡层的顶部表面；采用湿法刻蚀工艺去除位于第一间隔槽内的第二阻挡层和第一阻挡层、去除第一间隔槽暴露出的隔离层；对第一间隔槽暴露出的有源区和基底内形成源极掺杂层。通过间距槽尺寸差异并搭配平坦化处理以减少工艺光罩，通过湿法刻蚀以减少对存储栅结构造成的刻蚀损伤，提升器件结构的性能。

本发明授权存储器结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括基底、以及位于所述基底上的若干沿第一方向平行排布的有源区，所述有源区沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向垂直，相邻的所述有源区之间具有隔离沟槽； 在所述隔离沟槽内形成隔离层； 在所述衬底上形成若干沿所述第二方向平行排布的存储栅结构，所述存储栅结构沿所述第一方向横跨若干所述有源区，所述存储栅结构包括浮栅结构、以及位于所述浮栅结构上的控制栅结构，部分相邻的所述存储栅结构之间具有第一间隔槽，部分所述相邻的所述存储栅结构之间具有第二间隔槽，所述第一间隔槽和所述第二间隔槽分别暴露出所述有源区的部分顶部表面和所述隔离层的部分顶部表面，沿所述第二方向，所述第一间隔槽的宽度尺寸小于所述第二间隔槽的宽度尺寸； 在所述第一间隔槽的侧壁和底部表面、所述第二间隔槽的侧壁和底部表面、以及若干所述存储栅结构的顶部表面形成第一阻挡层； 在所述第一阻挡层的表面形成第二阻挡层，所述第二阻挡层的材料与所述第一阻挡层的材料不同，所述第二阻挡层填充满所述第一间隔槽，且未填充满所述第二间隔槽； 在所述第二阻挡层的表面形成第三阻挡材料层，所述第三阻挡材料层的材料与所述第二阻挡层的材料不同； 对所述第三阻挡材料层进行平坦化处理，直至暴露出所述第二阻挡层的表面为止，形成第三阻挡层，所述第三阻挡层暴露出位于所述第一间隔槽内的所述第二阻挡层的顶部表面； 采用湿法刻蚀工艺，去除位于所述第一间隔槽内的所述第二阻挡层和所述第一阻挡层、以及去除所述第一间隔槽暴露出的所述隔离层，直至暴露出所述基底为止； 在去除所述隔离层之后，对所述第一间隔槽暴露出的所述有源区和所述基底进行第一离子的注入处理，形成源极掺杂层，所述源极掺杂层沿所述第一方向延伸。

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