芯体素(杭州)科技发展有限公司童林聪获国家专利权
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龙图腾网获悉芯体素(杭州)科技发展有限公司申请的专利大高宽比微柱制备方法、微柱阵列制备方法、3D打印设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116728769B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310794062.3，技术领域涉及：B29C64/112；该发明授权大高宽比微柱制备方法、微柱阵列制备方法、3D打印设备是由童林聪;鞠若麟;楼小洁;陈恺设计研发完成，并于2023-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本大高宽比微柱制备方法、微柱阵列制备方法、3D打印设备在说明书摘要公布了：本发明属于微柱制备技术领域，具体涉及一种大高宽比微柱制备方法、微柱阵列制备方法、3D打印设备。微柱制备方法包括步骤：S1、打印喷头在基板表面相应位置处开始出墨，并在该位置处作第一预设时长的停留，以在该位置处堆积形成打印基底；S2、打印喷头在打印基底上保持出墨，并抬升至第一预设高度后停止抬升，并在第一预设高度位置处保持第二预设时长的出墨后停止出墨，以在第一预设高度位置处堆积形成打印墨水源；S3、打印喷头保持停止出墨状态并继续抬升，以提拉打印墨水源至第二预设高度，以完成微柱打印。本发明可基于3D打印的方式，制备大于或远大于10:1的超高深宽比金属微柱。
本发明授权大高宽比微柱制备方法、微柱阵列制备方法、3D打印设备在权利要求书中公布了：1.一种大高宽比微柱制备方法，其特征在于，包括步骤： S1、打印喷头在基板表面相应位置处开始出墨，并在该位置处作第一预设时长的停留，以在该位置处堆积形成打印基底； S2、打印喷头在打印基底上保持出墨，并抬升至第一预设高度后停止抬升，并在第一预设高度位置处保持第二预设时长的出墨后停止出墨，以在第一预设高度位置处堆积形成打印墨水源； S3、打印喷头保持停止出墨状态并继续抬升，以提拉打印墨水源至第二预设高度，以完成微柱打印； 步骤S3中，包括步骤： S3.1、打印喷头保持停止出墨状态并继续抬升，以提拉打印墨水源至中间高度； S3.2、打印喷头保持停止出墨状态并继续抬升，以提拉打印墨水源至第二预设高度； 且，步骤S3.2中打印喷头的抬升速度大于步骤S3.1以及步骤S2中打印喷头的抬升速度。
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