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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种低温度系数CMOS基准电压源及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116820177B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310755535.9，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种低温度系数CMOS基准电压源及芯片是由姚若河;陈志彤;耿魁伟;刘玉荣;朱映彬设计研发完成，并于2023-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低温度系数CMOS基准电压源及芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低温度系数CMOS基准电压源及芯片，属于集成电路技术领域。其中基准电压源包括：μnT2电流产生电路，用于产生一个与μnVTH 2成正比的电流I1；基准电压输出电路，包括镜像单元和基准单元，所述镜像单元用于按照预设比例复制电流I1，产生电流I2作用于基准单元；所述基准单元包括NMOS管和PMOS管，其中NMOS管的VGS呈现为凹曲线，PMOS管的VSG呈现凸曲线，将VGS和VSG两者进行叠加，得到一个低温度系数基准电压VREF。本发明利用沟道调制效应使NMOS的VGS呈现凹曲线，利用电子和空穴迁移率温度系数不同的特性使PMOS的VSG呈现凸曲线，将两者叠加进行二次温度补偿，得到一个低温度系数CMOS基准电压VREF，显著地降低了电压基准的温度系数。

本发明授权一种低温度系数CMOS基准电压源及芯片在权利要求书中公布了：1.一种低温度系数CMOS基准电压源，其特征在于，包括： μnT2电流产生电路，用于产生一个与μnVTH 2成正比的电流I1，为基准电压输出电路提供偏置电流；其中，VTH为MOS的阈值电压； 基准电压输出电路，包括镜像单元和基准单元，所述镜像单元用于按照预设比例复制电流I1，产生电流I2作用于基准单元；所述基准单元包括NMOS管和PMOS管，其中NMOS管的VGS呈现为凹曲线，PMOS管的VSG呈现凸曲线，将VGS和VSG两者进行叠加，进行二次温度补偿，得到一个低温度系数基准电压VREF； 所述μnT2电流产生电路包括第一PMOS管、第二PMOS管和第七NMOS管； 所述第一PMOS管的源极连接电源电压VDD，所述第一PMOS管的漏极和栅极均连接所述第二PMOS管的源极； 所述第二PMOS管的漏极和栅极均连接所述第七NMOS管的漏极； 所述第七NMOS管的源极和栅极均接地； 所述镜像单元包括第三PMOS管和第四PMOS管； 所述第三PMOS管的源极连接电源电压VDD，所述第三PMOS管的栅极连接所述第一PMOS管的栅极，所述第三PMOS管的漏极连接所述第四PMOS管的源极； 所述第四PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的栅极，所述第四PMOS管的漏极输出电流I2； 所述基准单元包括第五PMOS管和第六NMOS管； 所述第五PMOS管的源极输入电流I2，所述第五PMOS管的栅极和漏极均连接所述第六NMOS管的漏极； 所述第六NMOS管的栅极连接所述第五PMOS管的栅极，所述第六NMOS管的源极接地； 其中，所述第五PMOS管的源极输出低温度系数基准电压VREF。

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