华中科技大学江浩获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种光刻胶曝光过程准动态原位椭偏测量方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119045286B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310619606.2，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种光刻胶曝光过程准动态原位椭偏测量方法及系统是由江浩;李磊;刘佳敏;刘世元设计研发完成，并于2023-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光刻胶曝光过程准动态原位椭偏测量方法及系统在说明书摘要公布了：本发明属于光学薄膜测量相关技术领域，其公开一种光刻胶曝光过程准动态原位椭偏测量方法及系统，方法包括：采用穆勒矩阵椭偏仪获得光刻胶不同曝光时刻的实测穆勒矩阵；建立光刻胶的正向光学模型，获得理论穆勒矩阵；将实测穆勒矩阵和理论穆勒矩阵进行反演拟合获得不同时刻光刻胶的椭偏参数、平均消光系数以及膜厚度；建立光刻胶的参数与光刻胶的光学特性关系模型，以及光刻胶的曝光模型；建立理论消光系数与消光系数的关系模型，获得曝光不同时间后光刻胶的理论消光系数；将平均消光系数与理论消光系数进行反演拟和获得参数。本申请不仅可以对光刻胶进行静态测量而且可以对光刻胶的曝光过程进行准动态测量，可以精准的表征光刻胶的曝光过程。
本发明授权一种光刻胶曝光过程准动态原位椭偏测量方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种光刻胶曝光过程准动态原位椭偏测量方法，其特征在于，所述方法包括： S1：采用穆勒矩阵椭偏仪测量光刻胶在未曝光前的穆勒矩阵信息，对光刻胶进行曝光并采用穆勒矩阵椭偏仪进行测量直至穆勒矩阵数据保持不变，则得到光刻胶的实测穆勒矩阵； S2：将光刻胶视为均匀薄膜，建立正向光学模型，进而获得理论穆勒矩阵； S3：将所述实测穆勒矩阵和理论穆勒矩阵进行反演拟合获得不同时刻光刻胶的椭偏参数、平均消光系数以及膜厚度； S4：建立光刻胶的Dill参数与光刻胶的光学特性关系模型，以及光刻胶的曝光模型，所述光学特性包括消光系数、曝光光源波长、曝光光强以及光刻胶的相对光致酸剂浓度，所述Dill参数包括可漂泊系数、不可漂泊系数以及反应速率常数； S5：建立理论消光系数与所述消光系数的关系模型，获得曝光不同时间后光刻胶的理论消光系数； S6：将所述平均消光系数与理论消光系数进行反演拟和获得Dill参数。
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