南京航空航天大学;南京航空航天大学无锡研究院邱明波获国家专利权
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龙图腾网获悉南京航空航天大学;南京航空航天大学无锡研究院申请的专利一种电火花套料加工的非等厚薄壁电极及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116532733B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310605158.0,技术领域涉及:B23H1/04;该发明授权一种电火花套料加工的非等厚薄壁电极及其制造方法是由邱明波;张贻淼;李景涛;姚宗秀;吴恩涛设计研发完成,并于2023-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电火花套料加工的非等厚薄壁电极及其制造方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种电火花套料加工的非等厚薄壁电极及方法,属于放电加工工艺技术领域。电火花套料加工的非等厚薄壁电极,包括薄壁电极主体,薄壁电极主体为内环具有拐角的环状结构,拐角处的薄壁电极主体壁厚小于远离拐角处的薄壁电极主体壁厚。薄壁电极主体内壁从距离拐角预定距离的位置到拐角处逐渐向外扩张,使得薄壁电极主体壁厚从距离拐角预定距离的位置到拐角处逐渐变薄。本发明改善了普通薄壁电极拐角处厚度较大导致的套料放电加工过程中薄壁电极损耗不均的问题,减少了薄壁电极加工后尖角的出现。
本发明授权一种电火花套料加工的非等厚薄壁电极及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种电火花套料加工的非等厚薄壁电极,包括薄壁电极主体1,所述的薄壁电极主体1为内环具有拐角2的环状结构,其特征在于,所述的拐角2处的薄壁电极主体1壁厚小于远离拐角2处的薄壁电极主体1壁厚。
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