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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利一种磁屏蔽舱剩余磁场发生装置及控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116400774B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310508671.8，技术领域涉及：G05F7/00；该发明授权一种磁屏蔽舱剩余磁场发生装置及控制方法是由李海涛;李默煜;张海峰;杨思怡;刘坤设计研发完成，并于2023-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种磁屏蔽舱剩余磁场发生装置及控制方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种磁屏蔽舱剩余磁场发生装置及控制方法，包括上位机、DSP模块、功率放大器、磁通门传感器、可编程增益放大器、消磁线圈和磁屏蔽舱。上位机通过编程输出模拟量以控制消磁电流参数与直流偏置；模拟量经过DSP模块被转化为电压信号输出；电压信号经过功率放大器后被放大并输出；电压信号作用于负载电阻后形成特定参数的消磁电流；磁通门传感器获取磁屏蔽舱中心处剩余磁场大小并转换为电压信号输出；可编程增益放大器读取该电压信号并通过程序控制放大信号以获得磁场大小。本发明通过为消磁电流增加直流偏置的方案，实现对磁屏蔽舱剩余磁场的控制，能够保证成本低廉的同时生成稳定、可控的剩余磁场。

本发明授权一种磁屏蔽舱剩余磁场发生装置及控制方法在权利要求书中公布了：1.一种磁屏蔽舱剩余磁场发生装置的控制方法，其特征在于，磁屏蔽舱剩余磁场发生装置包括：上位机、DSP模块、功率放大器、负载电阻和磁屏蔽舱；所述磁屏蔽舱包括消磁线圈和磁通门传感器和可编程增益放大器； 所述上位机用于编写程序控制消磁电流参数与直流偏置； 所述DSP模块用于输出模拟电压信号； 所述功率放大器用于放大电压信号； 所述负载电阻用于将电压信号转换为电流； 所述消磁线圈用于生成交变磁场，对磁屏蔽舱进行消磁； 所述磁屏蔽舱用于屏蔽环境磁场影响并在中心处生成特定剩余磁场； 所述磁通门传感器获取所述剩余磁场大小； 所述可编程增益放大器用于放大磁通门传感器输出的电压信号，方便读取数据；所述控制方法包括： 使用特定梯度多次改变消磁电流直流偏置，绘制消磁电流直流偏置与剩余磁场关系曲线，根据所述关系曲线，改变消磁电流的直流偏置从而控制剩余磁场大小，包括： 步骤S11，在磁屏蔽舱相同位置正放、反放磁通门传感器，读取，，三个方向上的初始剩余磁场大小，计算出各个方向上磁通门传感器偏置,计算公式如下： 1 2 3 磁通门传感器测量出的磁场大小减去各方向偏置即为该点磁场大小的真实值； 步骤S12，通过上位机编程控制消磁电流幅值，直流偏置，测量DA转换单元输出电压，若,则更改上位机程序中的偏置变量直至DA转换单元输出电压为； 步骤S13，通过磁屏蔽舱剩余磁场发生装置向消磁线圈中加入消磁电流，为磁屏蔽舱进行消磁； 步骤S14，向消磁线圈中加入含有直流偏置的消磁电流，实现在磁屏蔽舱中心处生成特定大小剩余磁场； 步骤S15，通过磁通门传感器与可编程增益放大器读出磁屏蔽舱中心处磁场大小，记录此时的直流偏置大小与剩余磁场大小，绘制二者关系图像； 若此时的图像满足实际应用需求，则结束本控制方法，若未满足，则进入步骤S16； 步骤S16，改变直流偏置大小并进入步骤S13。

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