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龙图腾网获悉希烽光电科技(南京)有限公司;NANO科技(北京)有限公司申请的专利具有高边带抑制比的硅基光学相控阵结构及其计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116819845B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310506730.8，技术领域涉及：G02F1/295；该发明授权具有高边带抑制比的硅基光学相控阵结构及其计算方法是由陈泽;方舟;史弘康;张晓波;李磊设计研发完成，并于2023-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有高边带抑制比的硅基光学相控阵结构及其计算方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有高边带抑制比的硅基光学相控阵，包括激光器、耦合分束器、相位调制器、传输波导和耦合光栅，耦合分束器、相位调制器、传输波导和耦合光栅均集成在二氧化硅衬底上，激光器的出射光束入射耦合分束器，耦合分束器将单路光分束为多路光，每一路分束光同时进入相位调制器进行相位调制，传输波导连接相位调制器和耦合光栅，耦合光栅将相位调制后的多路光辐射至远场。本发明还公开一种具有高边带抑制比的硅基光学相控阵结构的计算方法。优点：本发明通过调节阵列波导和主波导之间耦合区域的长度，使得光学相控阵的近场光强满足高斯分布，提高远场光强的边带抑制比。

本发明授权具有高边带抑制比的硅基光学相控阵结构及其计算方法在权利要求书中公布了：1.一种具有高边带抑制比的硅基光学相控阵结构的计算方法，其特征在于：包括如下步骤： S1、采用高斯分布，构建光学相控阵分束权重因子w n n=1,2,…,N分布模型； S2、根据主波导宽度W 0、分束波导宽度W 1和波导间距W g，计算耦合系数κ；设定传播失配常数Δβ，计算耦合长度L c ； S3、联立主波导和N个子波导之间的模耦合方程组，求得主波导光场振幅系数Az以及子波导光场振幅系数a n zn=1,2,…,N的通解，其中，z为传播距离；以Az为边界条件，子波导光场振幅系数a n z满足分束权重因子的分布模型w n 总能量守恒，进而求得N个子波导所对应的直波导长度L n n=1,2,…,N； 具体为：联立主波导（2-1）和N个子波导之间耦合的模耦合方程组，求得主波导光场振幅系数Az，以及子波导光场振幅系数a n zn=1,2,…,N的通解，具体如下： （4） 其中，z为传播距离，；同时，以Az为边界条件，振幅系数a n z满足分束权重因子所满足的高斯分布，总能量守恒，具体表现如下： （5） 满足上式的传播距离z即为分束波导阵列（2-2）从属的直波导长度L n n=1,2,…,N； S4、N个子波导被非均匀分为M组，每一组的子波导数量表示为S m m=1,2,…,M，同一组中子波导的直波导长度相同，其共同长度为S3中所对应直波导长度的平均值L m S m m=1,2,…,M； S5、构建损失函数Fitness=f SMSR S m ,θ，其中，SMSR表示远场光强的边带抑制比；求得远场振幅的阵列因子AFS m ,θ，如下： （7） 其中，θ为远场角分布； S6、采用遗传算法，搜索最佳分束波导阵列的分组方式，即S m 分布函数，使得远场光强的边带抑制比最大； 基于具有高边带抑制比的硅基光学相控阵结构的计算方法的硅基光学相控阵结构，包括激光器（1）、耦合分束器（2）、相位调制器（3）、传输波导（4）和耦合光栅（5），耦合分束器（2）、相位调制器（3）、传输波导（4）和耦合光栅（5）均集成在二氧化硅衬底上， 激光器（1）的出射光束入射耦合分束器（2），耦合分束器（2）将单路光分束为多路光，每一路分束光同时进入相位调制器（3）进行相位调制，传输波导（4）连接相位调制器（3）和耦合光栅（5），耦合光栅（5）将相位调制后的多路光辐射至远场。

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