中芯南方集成电路制造有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司张海获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯南方集成电路制造有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利套刻补偿方法及装置、存储介质、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118859634B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310477742.2，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权套刻补偿方法及装置、存储介质、电子设备是由张海;杨晓松;吕伟;耿浩设计研发完成，并于2023-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本套刻补偿方法及装置、存储介质、电子设备在说明书摘要公布了：一种套刻补偿方法及装置、存储介质、电子设备。所述方法包括：获取第一初始层对应的初始前馈补偿数据及反馈补偿数据；获取所述第一初始层的对准信息，并基于所述第一初始层的对准信息，确定对准方式；所述第一初始层的对准信息包括：对准层的标识信息；当对准方式为直接对准方式时，基于所述第一初始层的对准信息，得到所述第一初始层的对准补偿数据，将所述初始前馈补偿数据与所述对准补偿数据之间的差值，作为所述第一初始层的前馈补偿数据；利用所述第一初始层的前馈补偿数据及反馈补偿数据，对所述第一初始层进行套刻补偿，在所述第一初始层形成相应的光刻图形。采用上述方案，可以提升套刻精度。
本发明授权套刻补偿方法及装置、存储介质、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种套刻补偿方法，其特征在于，包括： 提供待补偿晶圆；所述待补偿晶圆上具有套刻参考层及位于所述套刻参考层上的第一初始层； 获取第一初始层对应的初始前馈补偿数据及反馈补偿数据；所述初始前馈补偿数据为套刻参考层的实际补偿数据，所述反馈补偿数据为第一初始层在进行套准测试时得到的反馈补偿数据； 获取所述第一初始层的对准信息，并基于所述第一初始层的对准信息，确定对准方式；所述第一初始层的对准信息包括：对准层的标识信息； 当对准方式为直接对准方式时，基于所述第一初始层的对准信息，得到所述第一初始层的对准补偿数据，将所述初始前馈补偿数据与所述对准补偿数据之间的差值，作为所述第一初始层的前馈补偿数据； 利用所述第一初始层的前馈补偿数据及反馈补偿数据，对所述第一初始层进行套刻补偿，在所述第一初始层形成相应的光刻图形； 所述第一初始层的对准信息还包括：对准模型信息及对准层上对准标记位置信息。
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