上海馨欧集成微电有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉上海馨欧集成微电有限公司申请的专利一种声波谐振器、声波谐振器的制备方法及滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116599491B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310457829.3，技术领域涉及：H03H9/17；该发明授权一种声波谐振器、声波谐振器的制备方法及滤波器是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2023-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种声波谐振器、声波谐振器的制备方法及滤波器在说明书摘要公布了：本发明涉及微电子器件领域，公开了一种声波谐振器、声波谐振器的制备方法及滤波器，包括支撑衬底，设置在支撑衬底上的能量反射结构，设置在能量反射结构上的底电极，设置在底电极上的压电薄膜，压电薄膜有压电有效区域和压电失效区域，设置在压电有效区域上的叉指顶电极阵列，压电失效区域在叉指顶电极阵列之间且未被叉指顶电极阵列覆盖的区域，压电失效区域的宽度小于或等于未被叉指顶电极阵列覆盖的区域的宽度，声波谐振器的目标模式由纵向电场激发。本发明实施例基于异质集成结构，在保证压电薄膜完整性的前提下，通过在压电薄膜中设置一定宽度的压电失效区域来抑制横向电场激发的杂散模式，该方法工艺简单，有利于制备出高性能的声波谐振器。
本发明授权一种声波谐振器、声波谐振器的制备方法及滤波器在权利要求书中公布了：1.一种声波谐振器，其特征在于，包括： 支撑衬底； 设置在所述支撑衬底上的能量反射结构； 设置在所述能量反射结构上的底电极； 设置在所述底电极上的压电薄膜；所述压电薄膜包括压电有效区域和压电失效区域； 设置在所述压电有效区域上的叉指顶电极阵列； 所述压电失效区域位于所述叉指顶电极阵列之间且未被所述叉指顶电极阵列覆盖的区域；所述压电失效区域的宽度小于或等于所述未被叉指顶电极阵列覆盖的区域的宽度；所述压电失效区域形成于所述压电薄膜的部分区域；所述压电失效区域的形成方法包括后退火； 所述声波谐振器的目标模式由纵向电场激发；在所述声波谐振器完全由所述纵向电场激发时，调整所述压电失效区域的宽度占比调节所述声波谐振器的机电耦合系数。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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