山东大学任仲靖获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种航天器太阳帆加工方法及太阳帆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116497312B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310461238.3，技术领域涉及：C23C14/04；该发明授权一种航天器太阳帆加工方法及太阳帆是由任仲靖;李承阳;谢可才;孙首禹;徐阳;许泽昊;闫鹏设计研发完成，并于2023-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种航天器太阳帆加工方法及太阳帆在说明书摘要公布了：本发明涉及一种航天器太阳帆加工方法及太阳帆，包括以下步骤：在硅片上旋涂底层，然后在底层上旋涂柔性基底薄膜；使用光刻工艺在柔性基底薄膜上形成第一沉积区，在第一沉积区内沉积薄膜电极；对完成薄膜电极沉积后的整体结构使用光刻工艺形成第二沉积区，然后在第二沉积区沉积合金梁，合金梁沉积在相邻两个薄膜电极之间；使用光刻工艺在合金梁上形成第三沉积区，在第三沉积区沉积反射梁，去除合金梁和柔性基底薄膜、薄膜电极之间因光刻工艺残留的光刻胶和牺牲层，将柔性基底薄膜从底层上剥离，以使得柔性基底薄膜产生残余应力，采用本发明的加工方法加工出的太阳帆抗弯刚度高，省去了支撑机构。
本发明授权一种航天器太阳帆加工方法及太阳帆在权利要求书中公布了：1.一种航天器太阳帆加工方法，其特征在于，包括以下步骤： 在硅片上旋涂底层，然后在底层上旋涂柔性基底薄膜； 使用光刻工艺在柔性基底薄膜上形成第一沉积区，在第一沉积区内沉积薄膜电极； 对完成薄膜电极沉积后的整体结构使用光刻工艺形成第二沉积区，然后在第二沉积区沉积合金梁，合金梁沉积在相邻两个薄膜电极之间； 使用光刻工艺在合金梁上形成第三沉积区，在第三沉积区沉积反射梁； 去除合金梁和柔性基底薄膜、薄膜电极之间因光刻工艺残留的光刻胶和牺牲层，将柔性基底薄膜从底层上剥离，以使得柔性基底薄膜产生残余应力； 剥离后的柔性基底薄膜内部具有残余应力，该残余应力使得太阳帆的柔性基底薄膜与薄膜电极向下弯曲，合金梁和反射梁形成的双层梁结构向上弯曲，残余应力诱导太阳帆沿厚度方向展开。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山东大学，其通讯地址为：250061 山东省济南市历下区经十路17923号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励