上海芯之翼半导体材料有限公司陶龙海获国家专利权
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龙图腾网获悉上海芯之翼半导体材料有限公司申请的专利一种提升干法刻蚀均匀度的装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118824826B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310424689.X，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种提升干法刻蚀均匀度的装置及方法是由陶龙海设计研发完成，并于2023-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提升干法刻蚀均匀度的装置及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提升干法刻蚀均匀度的装置及方法，通过在静电吸盘的侧面上围绕设置位置校正机构，使位置校正机构紧密贴附于静电吸盘的侧面上形成同心状态，可在对聚焦环进行安装时，使聚焦环紧密套设于位置校正机构的外侧面上，并利用位置校正机构作用于聚焦环上的横向弹性力，使聚焦环得到相对于静电吸盘的自动对中以定位安装，并形成通过位置校正机构均匀隔离的安装间隙，因而在对晶圆进行工艺时，能在晶圆上获得分布均匀的等离子体，从而有效提升了干法刻蚀的均匀度，并由此提高了晶圆上的边缘良率。本发明有效解决了聚焦环安装时的居中难题，具有技术简单，效果明显的优点。
本发明授权一种提升干法刻蚀均匀度的装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种提升干法刻蚀均匀度的装置，其特征在于，包括： 设于刻蚀设备中的基座； 设于所述基座上的位置校正机构； 所述基座的表面上设有静电吸盘，所述静电吸盘的外侧设有聚焦环，所述聚焦环与所述静电吸盘之间具有安装间隙； 所述位置校正机构紧密贴附于所述静电吸盘的侧面上，并定位于所述安装间隙中，且所述位置校正机构的外周与所述静电吸盘的外周同心，所述聚焦环紧密套设于所述位置校正机构的外侧面上，得到来自所述位置校正机构外侧面的横向弹性力的作用，实现相对于所述静电吸盘的自动对中以定位并安装； 所述位置校正机构位于所述静电吸盘侧面上时，所述位置校正机构的外径在自由状态下大于所述聚焦环的内径，和或，所述位置校正机构突出于所述静电吸盘侧面的横向厚度大于所述安装间隙的尺寸，和或，所述位置校正机构面向上方的表面低于所述安装间隙的上端； 所述位置校正机构包括弹性环。
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