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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种电压基准及高阶温度补偿电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116414172B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310340452.3，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种电压基准及高阶温度补偿电路是由王斌;谢仁杰;杨卫涛;吴龙胜设计研发完成，并于2023-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电压基准及高阶温度补偿电路在说明书摘要公布了：本发明涉及一种电压基准及高阶温度补偿电路，包括：启动电路、电压基准电路、补偿电流电路、电流求和电路和基准电阻；其中，电压基准电路包括：PTAT电流电路和CTAT电流电路；启动电路消除电路简并点，使电压基准电路上电时正常工作；PTAT电流电路产生正温度系数电流，CTAT电流电路产生负温度系数电流；补偿电流电路补偿正温度系数电流，得到正温度系数补偿电流；电流求和电路对正温度系数电流、负温度系数电流和正温度系数补偿电流进行求和，产生可配置的正负温度系数补偿电流；可配置的正负温度系数补偿电流通过基准电阻产生基准电压VREF。本发明温度漂移系数小于10ppm℃，温度补偿范围为‑40～125℃，实现了宽温度范围下的电流补偿。

本发明授权一种电压基准及高阶温度补偿电路在权利要求书中公布了：1.一种电压基准及高阶温度补偿电路，其特征在于，包括：启动电路（100）、电压基准电路（200）、补偿电流电路（300）、电流求和电路（400）和基准电阻（R0）； 其中，所述电压基准电路（200）包括：PTAT电流电路（210）和CTAT电流电路（220）； 所述启动电路（100）的输出端分别连接所述PTAT电流电路（210）的输入端和所述CTAT电流电路（220）的输入端；所述PTAT电流电路（210）的输出端分别连接所述补偿电流电路（300）的输入端和所述电流求和电路（400）的输入端；所述补偿电流电路（300）的输出端和所述CTAT电流电路（220）的输出端均连接所述电流求和电路（400）的输入端；所述基准电阻（R0）的第一端连接所述电流求和电路（400）的输出端，并作为所述电压基准及高阶温度补偿电路的输出端输出基准电压VREF；所述基准电阻（R0）的第二端连接接地端（GND）； 所述启动电路（100）用于消除电路简并点，使所述电压基准电路（200）上电时正常工作；所述PTAT电流电路（210）用于产生正温度系数电流，所述CTAT电流电路（220）用于产生负温度系数电流；所述补偿电流电路（300）用于补偿所述正温度系数电流，得到正温度系数补偿电流；所述电流求和电路（400）用于对所述正温度系数电流、所述负温度系数电流和所述正温度系数补偿电流进行求和，产生可配置的正负温度系数补偿电流；所述可配置的正负温度系数补偿电流通过所述基准电阻（R0）产生基准电压VREF并输出； 所述补偿电流电路（300）包括：NMOS管M29、NMOS管M36、NMOS管M41、NMOS管M45、电阻R3、电阻R5、电阻R8和电阻R12；所述NMOS管M29的栅极分别连接所述PTAT电流电路（210）的电流输出端和所述电阻R3的第一端；所述NMOS管M29的漏极作为所述补偿电流电路（300）的电流输出端Iout，所述NMOS管M29的源极分别连接所述电阻R12的第二端、所述NMOS管M45的源极和所述接地端（GND）；所述电阻R3的第二端分别连接所述电阻R5的第一端和所述NMOS管M36的漏极；所述NMOS管M36的栅极连接第三电阻档位控制端UP2；所述电阻R5的第二端分别连接所述电阻R8的第一端、所述NMOS管M36的源极和所述NMOS管M41的漏极；所述NMOS管M41的栅极连接第二电阻档位控制端UP1；所述电阻R8的第二端分别连接所述电阻R12的第一端、所述NMOS管M41的源极和所述NMOS管M45的漏极；所述NMOS管M45的栅极连接第一电阻档位控制端UP0； 通过所述第三电阻档位控制端UP2、所述第二电阻档位控制端UP1和所述第一电阻档位控制端UP0对应控制所述NMOS管M36、所述NMOS管M41和所述NMOS管M45的开闭，实现所述电压基准及高阶温度补偿电路的三个档位的补偿温度的配置。

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