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龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利基于InGaAs/AlGaAs的太赫兹阵列探测器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314428B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310325851.2，技术领域涉及：H10F30/28；该发明授权基于InGaAs/AlGaAs的太赫兹阵列探测器件是由王林;姚晨禹;姜梦杰;王东;陈效双设计研发完成，并于2023-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于InGaAs/AlGaAs的太赫兹阵列探测器件在说明书摘要公布了：本发明公开的是基于InGaAsAlGaAs的太赫兹阵列探测器件，在GaAs衬底上依次生长GaAs缓冲层、AlxGa1‑xAs缓冲层、AlxGa1‑xAs势垒层、Si的δ掺杂底层、AlxGa1‑xAs的隔离层、InxGa1‑xAs的沟道层、AlxGa1‑xAs的隔离层、Si的δ掺杂层、AlxGa1‑xAs势垒层、未掺杂的AlAs层、未掺杂的GaAs层、掺杂Si的AlAs势垒层和掺杂Si的GaAs帽层。源极、漏极分别于GaAs缓冲层以及各个势垒层两端接触形成欧姆接触，并在沟道层之间形成的二维电子气通道。其主要特征是InGaAsAlGaAs形成的二维电子气具有非常高的电子迁移率，并可与太赫兹波产生等离子共振，增强了太赫兹波的吸收，并提高了光电转换效率。本发明的优点是设计的阵列器件不仅可以实现较高的响应，还实现了较优秀的均匀性特征，以此为基础的线阵列芯片利于大规模集成拓展。

本发明授权基于InGaAs/AlGaAs的太赫兹阵列探测器件在权利要求书中公布了：1.一种基于InGaAsAlGaAs的太赫兹阵列探测器件，包括GaAs衬底1、GaAs缓冲层2、AlxGa1-xAs缓冲层3、AlxGa1-xAs势垒层4、Si的δ掺杂底层6、AlxGa1-xAs的隔离层7、InxGa1-xAs的沟道层8、AlxGa1-xAs的隔离层9、Si的δ掺杂层10、AlxGa1-xAs势垒层11、未掺杂的AlAs层12、未掺杂的GaAs层13、掺杂Si的AlAs势垒层14和掺杂Si的GaAs帽层15；其特征在于所述的太赫兹阵列探测器件结构如下： 在GaAs衬底1上依次生长GaAs缓冲层2、AlxGa1-xAs缓冲层3、AlxGa1-xAs势垒层4、Si的δ掺杂底层6、AlxGa1-xAs的隔离层7、InxGa1-xAs的沟道层8、AlxGa1-xAs的隔离层9、Si的δ掺杂层10、AlxGa1-xAs势垒层11、未掺杂的AlAs层12、未掺杂的GaAs层13、掺杂Si的AlAs势垒层14和掺杂Si的GaAs帽层15；源极5、漏极16分别位于GaAs缓冲层以及各个势垒层两端接触形成欧姆接触，并在沟道层之间形成的二维电子气通道； 所述的GaAs缓冲层2厚度为200-210nm、AlxGa1-xAs缓冲层3厚度为250-300nm； 所述的AlxGa1-xAs势垒层4厚度为15-20nm； 所述的Si的δ掺杂底层6及AlxGa1-xAs的隔离层7厚度为6-10nm； 所述的InxGa1-xAs的沟道层8厚度为5-10nm； 所述的AlxGa1-xAs的隔离层9厚度为6-10nm； 所述的Si的δ掺杂层10及AlxGa1-xAs势垒层11厚度为22-25nm； 所述的未掺杂的AlAs层12厚度为1.5-2nm； 所述的未掺杂的GaAs层13厚度为15-20nm； 所述的掺杂Si的AlAs势垒层14厚度为1.5-3nm； 所述的掺杂Si的GaAs帽层15厚度为25-30nm。

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