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龙图腾网获悉宁波大学申请的专利一种形变检测微纳传感器及其制作与检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116358404B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310350651.2，技术领域涉及：G01B7/16；该发明授权一种形变检测微纳传感器及其制作与检测方法是由陈晓鹏;金庆辉;凌思佳;王雪鹏;邬杨波设计研发完成，并于2023-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种形变检测微纳传感器及其制作与检测方法在说明书摘要公布了：提供一种形变检测微纳传感器，其感应芯1包括从下到上依次层叠贴合设置的硅电阻形变感应层2、绝缘层3、温度感应层4，硅电阻形变感应层2为由硅片掺杂硼离子经刻蚀形成的曲折往返状态的呈条状的硅压阻条7，由4组相同的硅压阻条7依次连接，形成四电阻电桥；硅电阻形变感应层2的底面、温度感应层4上面分别设置有接线焊盘5；感应芯1外面包裹有柔性包裹衣6包住整个感应芯1，各接线焊盘5在柔性包裹衣6的相应位置各自露出，用于各自连接外部电源与外部检测电路；还提供其制作方法与检测方法；本发明利用半导体的压阻效应来检测应变，显著提高测量灵敏度。

本发明授权一种形变检测微纳传感器及其制作与检测方法在权利要求书中公布了：1.一种形变检测微纳传感器，包括感应芯1，其特征在于，所述感应芯1包括从下到上依次层叠贴合设置的硅电阻形变感应层2、绝缘层3、温度感应层4，绝缘层3将温度感应层4与硅电阻形变感应层2上下隔开；所述硅电阻形变感应层2为由硅片掺杂硼离子经刻蚀形成的曲折往返状态的呈条状的硅压阻条7，由4组相同的硅压阻条7依次连接，形成四电阻电桥；硅电阻形变感应层2的底面分别设置有接线焊盘5，温度感应层4上面设置有可用于连接外部检测电路的接线焊盘5；所述感应芯1外面包裹有由柔性有机材料制成的柔性包裹衣6包住整个感应芯1，各接线焊盘5在柔性包裹衣6的相应位置各自露出，用于各自连接外部电源与外部检测电路；所述硅压阻条7包括重掺杂区8与轻掺杂区9，硅压阻条7折返段为重掺杂区8，连接于折返段之间的长直条为轻掺杂区9，使得硅压阻条7电阻分布均匀；硅电阻形变感应层2的底面的接线焊盘5设置在重掺杂区8；所述绝缘层3、温度感应层4形状与硅电阻形变感应层2相配；所述绝缘层3为在硅电阻形变感应层2实体上面采用等离子体加强的化学气相沉积工艺制备的氮化硅薄膜，并用反应离子刻蚀工艺选择性地留下的设定区域；所述温度感应层4为采用lift-off工艺在绝缘层3实体上面沉积一层金属铂形成。

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