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龙图腾网获悉中科南京智能技术研究院申请的专利一种单比特存内计算装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116312690B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310285114.4，技术领域涉及：G11C11/413；该发明授权一种单比特存内计算装置是由乔树山;黄茂森;游恒;尚德龙;周玉梅设计研发完成，并于2023-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单比特存内计算装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种单比特存内计算装置。该装置中第一阵列模块和第二阵列模块均包括：4个SRAM存储单元阵列、4个ADC模块及1个加法器模块；SRAM存储单元阵列为64行乘以32列；每个SRAM存储单元阵列与一个ADC模块连接；ADC模块将对应的SRAM存储单元阵列中每列64行的计算结果进行量化；4个ADC模块均与加法器模块连接；加法器模块将4个ADC模块的量化结果进行加和；字线WLL_L和字线WLR_L驱动第一阵列模块的每一列SRAM存储单元阵列；字线WLL_R和字线WLR_R驱动第二阵列模块的每一列SRAM存储单元阵列。本发明能够提高单比特存内计算读出精度。

本发明授权一种单比特存内计算装置在权利要求书中公布了：1.一种单比特存内计算装置，其特征在于，包括：第一阵列模块、译码及输入驱动模块以及第二阵列模块； 所述第一阵列模块和所述第二阵列模块均包括：4个SRAM存储单元阵列、4个模拟数字转换器ADC模块以及1个加法器模块；所述SRAM存储单元阵列为64行乘以32列； 每个所述SRAM存储单元阵列与对应的所述模拟数字转换器ADC模块连接；所述模拟数字转换器ADC模块用于将对应的所述SRAM存储单元阵列中每列64行的计算结果进行量化，确定量化结果； 4个所述模拟数字转换器ADC模块均与所述加法器模块连接；所述加法器模块用于将4个所述模拟数字转换器ADC模块的量化结果进行加和； 所述译码及输入驱动模块包括：字线WLL_L、字线WLR_L、字线WLL_R以及字线WLR_R；所述字线WLL_L和所述字线WLR_L用于驱动所述第一阵列模块的每一列SRAM存储单元阵列；所述字线WLL_R和所述字线WLR_R用于驱动所述第二阵列模块的每一列SRAM存储单元阵列； 所述量化结果的位数为4位； 所述加法器模块的加和结果的位数为6位。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中科南京智能技术研究院，其通讯地址为：211100 江苏省南京市江宁区创研路266号麒麟人工智能产业园1号楼5层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。