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龙图腾网获悉昆明理工大学申请的专利一种高取向、边缘结构及手性可调的过渡金属硫化物纳米带获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117448949B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310210606.7，技术领域涉及：C30B25/00；该发明授权一种高取向、边缘结构及手性可调的过渡金属硫化物纳米带是由左勇刚;薛国栋;刘开辉;张利波;付立康;张耕伟;林国设计研发完成，并于2023-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高取向、边缘结构及手性可调的过渡金属硫化物纳米带在说明书摘要公布了：本发明提供一种高取向、边缘结构及手性可调的过渡金属硫化物纳米带及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：将生长衬底在高温下退火处理，形成衬底表面台阶分布。将预备好的基底均匀涂一层过渡金属源后反扣于预处理后的生长衬底上，通过表界面调控，利用生长衬底原子级台阶，在生长衬底上得到取向一致，边缘结构及手性可调的一维过渡金属硫化物纳米带。该方法具有流程短，工艺简单，无催化剂，可控性与普适性强等特点，不仅可以调控生长材料的维度，实现一维过渡金属硫化物纳米带可控制备，同时更为重要的是对一维纳米材料的生长取向、边缘结构及手性进行有效控制，对研究纳米材料电子结构具有重要意义。

本发明授权一种高取向、边缘结构及手性可调的过渡金属硫化物纳米带在权利要求书中公布了：1.一种高取向、边缘结构及手性可调的过渡金属硫化物纳米带的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤： （一）将过渡金属源形成于基底的第一表面上；步骤一具体包括如下步骤：采用旋涂方法或喷涂方法将过渡金属源均匀旋涂于准备好的基底上，然后置于60-100°C加热台脱湿烘干； （二）将衬底进行退火处理，作为生长衬底；将步骤（一）中的所述基底反扣于退火后的所述生长衬底上一起放于耐高温板上形成层叠体，并将所述层叠体置于管式炉中，所述层叠体从上至下依次包括：基底、生长衬底和耐高温板；其中，所述基底的第一表面与生长衬底相对设置，且所述基底与生长衬底之间形成间隙，所述间隙高度在50nm-10μm；在所述管式炉中放置硫族元素供应源； （三）在常压或低压下通入保护性气体并升温，所述保护性气体依次流过所述硫族元素供应源和所述层叠体，控制升温速率在5-100°Cmin升温至预定温度，然后保温生长40min以下；其中，所述预定温度范围为500-1000°C； （四）生长结束后，关闭加热电源，维持所述保护性气体流量不变，冷却至室温，在所述生长衬底上得到高取向手性可调的过渡金属硫化物纳米带； 其中，将衬底进行退火处理包括：对所述衬底进行800-1600℃高温退火处理，实现衬底表面重结晶，形成台阶状分布结构； 在a-plane生长衬底上制备的所述的过渡金属硫化物纳米带具有zigzag边缘结构，在c-plane生长衬底上制备的所述的过渡金属硫化物纳米带具有armchair边缘结构。

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