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龙图腾网获悉深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利阵列基板和阵列基板的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117476667B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310256065.1，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板和阵列基板的制备方法是由郑帅;宋志伟设计研发完成，并于2023-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板和阵列基板的制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种阵列基板和阵列基板的制备方法，阵列基板包括层叠设置的衬底、第一金属层、第二缓冲层、金属氧化物半导体层、绝缘层和源漏极层，第一金属层包括金属氧化物晶体管的第一栅极，金属氧化物半导体层包括金属氧化物晶体管的第一有源层，第一有源层的迁移率大于阈值且包括耐刻蚀材料，源漏极层包括金属氧化物晶体管的第一源极和第一漏极，其中，绝缘层中形成第一过孔和第二过孔，第二源极和第二漏极分别通过第一过孔和第二过孔与第一有源层连接，绝缘层和第二缓冲层中共同形成第三过孔，第一源极和第一漏极中的其中一者通过第三过孔与第一栅极连接。本申请的阵列基板可以实现减少光罩数量和维持晶体管稳定性的兼顾。

本发明授权阵列基板和阵列基板的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括： 衬底； 第一金属层，形成在所述衬底一侧，所述第一金属层包括金属氧化物晶体管的第一栅极； 第二缓冲层，形成在所述第一金属层远离所述衬底的一侧； 金属氧化物半导体层，形成在所述第二缓冲层远离所述第一金属层的一侧，所述金属氧化物半导体层包括所述金属氧化物晶体管的第一有源层，所述第一有源层的迁移率大于阈值，且包括耐刻蚀材料； 绝缘层，形成在所述金属氧化物半导体层远离所述第二缓冲层的一侧； 源漏极层，形成在所述绝缘层远离所述金属氧化物半导体层的一侧，所述源漏极层包括所述金属氧化物晶体管的第一源极和第一漏极； 其中，所述绝缘层中形成第一过孔和第二过孔，所述第一源极和所述第一漏极分别通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述第一有源层连接，所述绝缘层和所述第二缓冲层中共同形成第三过孔，所述第一源极和所述第一漏极中的其中一者通过所述第三过孔与所述第一栅极连接； 所述阵列基板还包括多晶硅层、第一缓冲层和第二金属层，所述多晶硅层形成在所述衬底一侧，包括低温多晶硅晶体管的第二有源层和信号走线，所述第一缓冲层形成在所述多晶硅层和所述第一金属层之间，所述第二金属层与所述源漏极层同层设置，所述第一金属层还包括所述低温多晶硅晶体管的第三栅极，所述第二金属层还包括金属氧化物晶体管的第二栅极和所述低温多晶硅晶体管的第四栅极，所述源漏极层还包括所述低温多晶硅晶体管的第二源极和第二漏极，所述绝缘层、所述第二缓冲层和所述第一缓冲层中共同形成第四过孔、第五过孔和第六过孔，所述第二源极和所述第二漏极分别通过所述第四过孔和所述第五过孔与所述第二有源层连接，所述第一源极和所述第一漏极中的另外一者通过所述第六过孔与所述信号走线连接。

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