纳微朗科技(深圳)有限公司闫春辉获国家专利权
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龙图腾网获悉纳微朗科技(深圳)有限公司申请的专利半导体发光器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116190513B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310247408.8，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权半导体发光器件是由闫春辉;杨安丽;杜彦浩;孙伟;聂大伟;何婧婷;钟增梁设计研发完成，并于2023-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体发光器件在说明书摘要公布了：本申请公开了半导体发光器件。半导体发光器件包括多量子阱发光层、第一电极、第二电极、第一混合半导体层和第二混合半导体层，第一混合半导体层和第二混合半导体层设置于多量子阱发光层相对的两侧；第一电极设置于第一混合半导体层远离多量子阱发光层的一侧，第二电极设置于第二混合半导体层远离多量子阱发光层的一侧。通过上述方式，本申请能够实现半导体发光器件在交流电的全波段发光。
本发明授权半导体发光器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体发光器件，其特征在于，包括多量子阱发光层、第一电极、第二电极、第一混合半导体层和第二混合半导体层，所述第一混合半导体层和所述第二混合半导体层设置于所述多量子阱发光层相对的两侧；所述第一电极设置于所述第一混合半导体层远离所述多量子阱发光层的一侧，所述第二电极设置于所述第二混合半导体层远离所述多量子阱发光层的一侧； 其中，所述多量子阱发光层包括层叠设置的多层量子阱层，所述多量子阱发光层的结构以所述多量子阱发光层的中心剖面为对称平面对称设置；所述第一混合半导体层包括分别与所述多量子阱发光层连接的第一P型区和第一N型区，其中所述第一P型区和所述的第一N型区形成于同一外延结构中，所述第二混合半导体层包括分别与所述多量子阱发光层连接的第二P型区和第二N型区，其中所述的第二P型区和所述的第二N型区形成于同一外延结构中，所述第一P型区和所述第二N型区相对设置，所述第一N型区和所述第二P型区相对设置；所述第一电极与所述第一P型区和所述第一N型区连接，所述第二电极与所述第二P型区和所述第二N型区连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人纳微朗科技(深圳)有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号厂房1栋409；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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