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龙图腾网获悉无锡海特新材料研究院有限公司申请的专利一种高介电常数低模量室温自愈合的介电弹性体及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116396480B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310189055.0，技术领域涉及：C08G77/38；该发明授权一种高介电常数低模量室温自愈合的介电弹性体及其制备方法是由王若琳;贺金梅;白永平设计研发完成，并于2023-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高介电常数低模量室温自愈合的介电弹性体及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种高介电常数低模量室温自愈合的介电弹性体，包括如下组分：端羟基的聚硅氧烷，含有二硫键的有机物，硅烷偶联剂；所述端羟基的聚硅氧烷结构式I如下：其中，R1和R2均独立选自C1‑12烷基、C6‑24芳基、C6‑24芳基取代的C1‑12烷基、至少一个C1‑12烷基取代的C6‑24芳基；R3和R4均独立选自C1‑12烷基；每个R5相同或不同，均独立选自C0‑12亚烷基；n为4‑100之内的任意整数。本发明公开的高介电常数低模量室温自愈合的介电弹性体及其制备方法，获得的介电弹性体介电常数高、可室温自愈合、模量低；且制备方法简单，无需催化剂和溶剂，过程容易控制，成本低，易于实现工业化生产，适用于人造肌肉，传感器，超级电容器，聚合物发电机，触觉反馈器等多个领域。

本发明授权一种高介电常数低模量室温自愈合的介电弹性体及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高介电常数低模量室温自愈合的介电弹性体，其特征在于，包括如下组分：端羟基的聚硅氧烷，含有二硫键的有机物，硅烷偶联剂；所述端羟基的聚硅氧烷结构式I如下： 其中，R1和R2均独立选自C1-12烷基、C6-24芳基、C6-24芳基取代的C1-12烷基、至少一个C1-12烷基取代的C6-24芳基； R3和R4均独立选自C1-12烷基； 每个R5相同或不同，均独立选自C0-12亚烷基； n为4-100之内的任意整数； 所述硅烷偶联剂选自3-异氰酸酯基丙基三乙氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、正硅酸甲酯、正硅酸乙酯、甲基三甲氧基硅烷或乙烯基三甲氧基硅烷中的一种或多种； 所述含有二硫键的有机物选自3,3′-二硫代二丙酸、2,2′-二硫代二丙酸、二硫代甘醇酸、二硫辛酸、2,2′-二硫二乙醇、丙基二硫或二苄基二硫中的一种或多种。

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