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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种高频下材料磁导率的测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116184284B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310184685.9，技术领域涉及：G01R33/12；该发明授权一种高频下材料磁导率的测试方法是由向锋;马建乐;王敏;张萌宇设计研发完成，并于2023-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高频下材料磁导率的测试方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高频下材料磁导率的测试方法。采用TE模式谐振腔作为测试工具，包括：谐振腔、加压装置、网络分析仪和待测样品，只需通过测试获得材料趋肤深度及其对应表面电阻率，便可计算得到材料的磁导率。测试不同厚度的磁性薄膜对谐振频率f和品质因数Q的影响，计算获得磁膜厚度‑表面电阻率关系曲线，分析得到趋肤深度，进而计算出磁性材料的磁性能。本发明极大地提高了材料磁导率测量的精度和效能。

本发明授权一种高频下材料磁导率的测试方法在权利要求书中公布了：1.一种高频下材料磁导率的测试方法，其特征在于，方法包括： 1采用具有高光洁度表面的304不锈钢作为基片，在基片表面镀膜制备厚度分别为0.2nμm，n＝5、6、7、8、9、10的导体材料组成谐振腔的校准样品； 2采用具有高光洁度表面的304不锈钢作为基片，在基片表面镀膜制备厚度分别为0.2nμm，n＝5、6、7、8、9、10的磁性薄膜材料组成待测样品； 3为减小样品表面形貌对表面电阻率测试结果的影响，应将待测样品的表面轮廓粗糙度控制在0.01μm以内； 4测试样品包括：磁导率已知的用于获得修正因子的校准镀膜样片和磁导率未知的待测镀膜样片； 5将网络分析仪的同轴连接线与谐振腔的环状耦合器相连，保持耦合环所在平面与谐振腔圆截面相平行，通过上述方式将网络分析仪信号馈入谐振腔腔体中时，使谐振腔工作在TE模式下，其上端面处电场与谐振腔腔体截面平行，将谐振腔和网络分析仪组成的电参数测试器件与加压装置配套使用，多次测量过程中保持压力传感器数据不变； 6将所述校准及测试样片镀膜面向下依次覆盖于谐振腔上端面，记录谐振频率和品质因数； 7根据测试数据，利用谐振腔测试表面电阻率的计算公式，得出校准样品和待测样品的表面电阻率； 8通过所测校准样品和待测样品的电阻率数据，绘制并拟合“表面电阻率-镀膜厚度” 曲线以获得测试频率下导体材料和磁性材料的趋肤深度； 9基于校准样品的电阻率测试数据获得计算材料磁导率参数公式中的修正因子； 在实际测试中，材料趋肤深度计算公式加入修正因子K后为： 式中，K修正因子； 10根据待测样品所测趋肤深度和电阻率数据，代入修正后的计算公式得到高频下磁性材料的磁导率。

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