广东中图半导体科技股份有限公司曾广艺获国家专利权
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龙图腾网获悉广东中图半导体科技股份有限公司申请的专利基于复合材料膜层的图形化衬底、制备方法及LED外延片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116190507B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310175665.5，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权基于复合材料膜层的图形化衬底、制备方法及LED外延片是由曾广艺;王子荣;卢建航设计研发完成，并于2023-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于复合材料膜层的图形化衬底、制备方法及LED外延片在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种基于复合材料膜层的图形化衬底、制备方法及LED外延片，该基于复合材料膜层的图形化衬底的制备方法包括：提供一平片蓝宝石衬底；通过第一等离子体增强化学气相沉积工艺，在平片蓝宝石衬底上形成第一无机氧化物层；通过第二等离子体增强化学气相沉积工艺，在第一无机氧化物层上形成第二无机氧化物层，其中，第二无机氧化物层的氧含量小于第一无机氧化物层的氧含量。利用上述方法，有助于提高第二无机氧化物层对于光刻胶的粘附性，以提升光刻胶膜层的匀胶良率，减少膜层的表面改性增粘处理的步骤，降低匀胶过程中受时限性的限制，避免图形化衬底的脱胶缺陷，提高图形化衬底的制备效率，降低图形化衬底的生产成本。
本发明授权基于复合材料膜层的图形化衬底、制备方法及LED外延片在权利要求书中公布了：1.一种基于复合材料膜层的图形化衬底的制备方法，其特征在于，包括： 提供一平片蓝宝石衬底； 通过第一等离子体增强化学气相沉积工艺，在所述平片蓝宝石衬底上形成第一无机氧化物层； 通过第二等离子体增强化学气相沉积工艺，在所述第一无机氧化物层上形成第二无机氧化物层，其中，所述第二无机氧化物层的氧含量小于所述第一无机氧化物层的氧含量； 通过匀胶工艺，在所述第二无机氧化物层上涂敷光刻胶，形成光刻胶层； 通过曝光和显影在所述光刻胶层上形成图形结构； 将所述图形结构转移至所述第二无机氧化物层和所述第一无机氧化物层； 通过过刻蚀工艺，去除所述第二无机氧化物层，得到形成有所述图形结构的基于复合材料膜层的图形化衬底，其中，所述图形结构为所述第一无机氧化物层制备而成。
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