三一硅能(株洲)有限公司冯晓军获国家专利权
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龙图腾网获悉三一硅能(株洲)有限公司申请的专利用于镀膜设备的破真空装置及镀膜设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116463591B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310164161.3，技术领域涉及：C23C14/22；该发明授权用于镀膜设备的破真空装置及镀膜设备是由冯晓军;闫宁宁;李伟设计研发完成，并于2023-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于镀膜设备的破真空装置及镀膜设备在说明书摘要公布了：本发明涉及镀膜技术领域，提供一种用于镀膜设备的破真空装置及镀膜设备，包括与供气设备相连接的输气管路，输气管路用于向镀膜设备的第二腔室内输送气体；其中，输气管路至少包括第一管路节段，第一管路节段的进气端小于其出气端的截面面积，第一管路节段的进气端与供气设备相连接，出气端用于与第二腔室相连接。在进行破真空作业时，供气设备通过输气管路将气流输送至第二腔室内，气流在经过输气管路中的第一管路节段时，由于其进气端小于出气端的截面面积，则出气端截面变大使气流的流速降低，大幅降低了气流对第二腔室的冲击，解决了电池片易被吹偏、吹碎的缺陷，降低了电池片的破片率。
本发明授权用于镀膜设备的破真空装置及镀膜设备在权利要求书中公布了：1.一种镀膜设备，其特征在于，包括： 第二腔室； 镀膜载体，设置于所述第二腔室内； 破真空装置，包括与供气设备相连接的输气管路，所述输气管路用于向所述第二腔室内输送气体；其中，所述输气管路至少包括第一管路节段，所述第一管路节段的进气端小于其出气端的截面面积，所述第一管路节段的进气端与所述供气设备相连接，出气端用于与所述第二腔室相连接； 还包括设置于所述第二腔室内部的第一腔室，所述第一腔室上设有多个与所述第一腔室的内部相连通的气流通道，且所述气流通道与所述第二腔室相连通； 所述输气管路的出气端设有挡板，所述输气管路的出气端与所述挡板之间具有间隙，且所述挡板位于所述第一腔室内； 所述第二腔室包括相连通的第一腔体和第二腔体，所述第一腔室和所述镀膜载体均位于所述第一腔体内，所述第二腔体内设有填充物料。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三一硅能(株洲)有限公司，其通讯地址为：412000 湖南省株洲市石峰区铜塘湾街道铜霞路255号隆信国际1号楼518-50室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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