深圳市志凌伟业技术股份有限公司苏伟获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市志凌伟业技术股份有限公司申请的专利一种双面EMI图案的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115996555B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310135555.6，技术领域涉及：H05K9/00；该发明授权一种双面EMI图案的制备方法是由苏伟;刘洁设计研发完成，并于2023-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双面EMI图案的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及建筑防水技术领域，具体为一种双面EMI图案的制备方法，双面EMI图案依次包括以下结构：感光膜、导电层、基材、保护膜，且该制备方法包括以下步骤：先对导电材料进行单面感光膜贴敷；反面覆保护膜，并对感光膜进行曝光；通过显影、蚀刻、退膜制备单面导电线路；再通过药水对膜材的基材进行蚀刻溶解；进一步对产品进行导电材料线路蚀刻，并去除感光膜再撕去背面保护膜；再从正面对背面的导电材料进行蚀刻，采用激光的方式，对双面导电材料进行镭射，通过调整激光的能量，使激光可镭射穿正面导电材料+基材+背面导电材料整个材料；本发明能够解决正反面图案不重合导致的屏蔽效能降低以及摩尔纹问题。
本发明授权一种双面EMI图案的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双面EMI图案的制备方法，其特征在于：双面EMI图案从上至下依次包括以下结构：感光膜、正面导电材料、基材、反面导电材料、保护膜，且该制备方法包括以下步骤： （1）先对正面导电材料进行单面感光膜贴敷； （2）反面导电材料覆保护膜，并对感光膜进行曝光； （3）通过显影、蚀刻、退膜制备单面导电线路； （4）再通过药水对膜材的基材进行蚀刻溶解，基材的图案与正面导电材料线路保持一致，制成正面导电材料线路； （5）进一步对反面导电材料进行线路蚀刻，并去除感光膜再撕去背面保护膜； （6）再从正面对背面的导电材料进行蚀刻，实现正反面导电材料线路的重合； （7）采用激光的方式，参考设计图案，对双面导电材料进行镭射，将不需要的区域镭射掉； （8）通过调整激光的能量，使激光可镭射穿正面导电材料+基材+反面导电材料整个材料，使正反两面的图案完全一致。
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