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龙图腾网获悉中国工程物理研究院激光聚变研究中心申请的专利一种双面正弦调制聚合物薄膜的制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116277633B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310133457.9，技术领域涉及：B29C33/38；该发明授权一种双面正弦调制聚合物薄膜的制备工艺是由李娃;徐嘉靖;朱方华;李婧;尹强;王宇光;张伟设计研发完成，并于2023-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双面正弦调制聚合物薄膜的制备工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双面正弦调制聚合物薄膜的制备工艺，包括：制备紫铜模板；利用紫铜模板制备硅橡胶软模板；利用硅橡胶软模板制备硬质透明耐高温的环氧树脂硬模板；制备预成型聚合物薄膜；将环氧树脂硬模板分为上模板和下模板，将预成型聚合物薄膜放置在上模板和下模板之间，使用显微镜辅助上模板、下模板和预成型聚合物薄膜对准、固定；在预成型聚合物薄膜上真空热压复制图纹，即将上模板和下模板上的图纹分别复制到预成型聚合物薄膜的两个表面，得到双面正弦调制聚合物薄膜。本发明得到了双面调制图纹基本同相、图纹复制质量较好的双面正弦调制靶样品。为提供满足物理实验要求的双面正弦调制靶奠定了技术基础。

本发明授权一种双面正弦调制聚合物薄膜的制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种双面正弦调制聚合物薄膜的应用，其特征在于，所述双面正弦调制聚合物薄膜应用于模拟研究惯性约束聚变内爆靶丸的流体力学性能，即通过在聚合物薄膜的两个表面引入正弦调制图纹，得到双面正弦调制聚合物薄膜，人为制造面密度扰动以模拟靶丸的不均匀性，通过测量激光对双面正弦调制聚合物薄膜烧蚀过程中靶密度扰动的时空分布非线性增长，来研究并估算其流体力学不稳定性的大小； 所述双面正弦调制聚合物薄膜采用以下方法制备得到： 步骤一、制备紫铜模板； 步骤二、利用步骤一制备的紫铜模板制备硅橡胶软模板； 步骤三、利用步骤二制备的硅橡胶软模板制备硬质透明的环氧树脂硬模板； 步骤四、使用热压成型机制作直径50mm的预成型聚合物薄膜，预成型聚合物薄膜厚度用0.01mm钛片调节，用钛片充当塞尺，用钛片的厚度控制预成型聚合物薄膜的厚度，对预成型聚合物薄膜进行表面抛光处理，控制加热温度150℃、预压压力0.5吨、预压时间3min、模压压力5吨、热压时间5min，保持压力不变，利用压缩空气冷却至80℃，得到预成型聚合物薄膜，开模取样；所述预成型聚合物薄膜为聚苯乙烯、聚乙烯、聚丙烯薄膜中的一种； 步骤五、将步骤三制备的环氧树脂硬模板分为上模板和下模板，将预成型聚合物薄膜放置在上模板和下模板之间，使用显微镜辅助上模板、下模板和预成型聚合物薄膜对准、固定； 步骤六、在预成型聚合物薄膜上真空热压复制图纹，即将上模板和下模板上的图纹分别复制到预成型聚合物薄膜的两个表面，得到双面正弦调制聚合物薄膜。

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