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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利一种集成光放大结构的AlGaN基探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314422B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310132444.X，技术领域涉及：H10F30/225；该发明授权一种集成光放大结构的AlGaN基探测器及其制备方法是由黎大兵;王炳翔;蒋科;孙晓娟;贾玉萍;张山丽设计研发完成，并于2023-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成光放大结构的AlGaN基探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种集成光放大结构的AlGaN基探测器及其制备方法。本发明提供的集成光放大结构的AlGaN基探测器，包括：n型AlGaN包层、有源层、p型AlGaN包层、第二p型GaN层、第二p型电极、第二n型电极、第一反射层、第二反射层，这些构成AlGaN基探测器的光放大结构；本发明的集成光放大结构的AlGaN基探测器，在常规探测器的基础上，增加光放大结构，AlGaN光放大结构用于入射光放大，入射光被放大后出射进入探测器吸收区，增加进入探测器吸收区的光子数，通过放大信号光的方式提升雪崩探测器的增益。本发明可兼容现有的AlGaN雪崩探测器结构，具有广阔的应用前景。

本发明授权一种集成光放大结构的AlGaN基探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成光放大结构的AlGaN基探测器，其特征在于，包括： 衬底，其表面相互间隔设有第一n型AlGaN层、第二n型AlGaN层； 所述第一n型AlGaN层远离所述衬底一侧的面相互间隔设有第一n型电极、第三n型AlGaN层； 所述第三n型AlGaN层远离所述衬底一侧的面依次设有相互层叠的i型AlGaN层、p型AlGaN层、第一p型GaN层、第一p型电极； 所述第二n型AlGaN层远离所述衬底一侧的面相互间隔设有n型AlGaN包层、 第二n型电极； 所述n型AlGaN包层远离所述衬底一侧的面依次设有相互层叠的有源层、p型AlGaN包层、第二p型GaN层、第二p型电极； 第一反射层，其位于所述衬底底面且对应第一n型AlGaN层处； 第二反射层，其位于所述第二n型AlGaN层远离所述衬底一侧的面，所述第二反射层一侧与所述n型AlGaN包层、有源层、p型AlGaN包层、第二p型GaN层相贴合，所述有源层与所述i型AlGaN层相对应并处于相同高度。

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