中国科学院长春光学精密机械与物理研究所孙晓娟获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利一种多色探测器及制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116130541B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310064034.6,技术领域涉及:H10F30/21;该发明授权一种多色探测器及制备方法是由孙晓娟;贾玉萍;黎大兵;蒋科;刘明睿;吕顺鹏;石芝铭;臧行;陈洋设计研发完成,并于2023-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多色探测器及制备方法在说明书摘要公布了:本申请提供的多色探测器及制备方法,包括:导电衬底、置于导电衬底上表面的宽禁带半导体雪崩放大光电探测结构层、置于宽禁带半导体雪崩放大光电探测结构层上表面的可见‑红外吸收层、置于可见‑红外吸收层上的透明电极及置于导电衬底下表面的底电极层,本申请提供的多色探测器,将宽禁带半导体的载流子雪崩性能与二维材料的可见和红外吸收相结合,利用二维材料作为吸收层,再通过外电场使得在二维材料中产生的光生载流子输运到宽禁带半导体中,实现倍增,获得高响应度可见‑红外探测;且在一个探测单元通过宽禁带半导体自身的雪崩倍增效应实现紫外倍增探测,利用二维材料结合宽禁带半导体倍增效应实现可见‑红外倍增探测,得到高性能多色探测器。
本发明授权一种多色探测器及制备方法在权利要求书中公布了:1.一种多色探测器,其特征在于,包括:导电衬底、置于导电衬底上表面的宽禁带半导体雪崩放大光电探测结构层、置于所述宽禁带半导体雪崩放大光电探测结构层上表面的可见-红外吸收层,所述的可见-红外吸收层包括第一半导体单元层及置于所述宽禁带半导体雪崩放大光电探测结构层上并与第一半导体单元层处于不同位置的第二半导体单元层、置于所述第一半导体单元层和所述第二半导体单元层上的透明电极及置于所述导电衬底下表面的底电极层,所述宽禁带半导体雪崩放大光电探测结构层用于实现紫外光探测及可见和红外光生载流子的雪崩放大功能,所述第一半导体单元层结合宽禁带半导体雪崩结构用于实现可见光探测,所述第二半导体单元层结合宽禁带半导体雪崩结构用于实现红外光探测,所述第一半导体单元层及所述第二半导体单元层结合宽禁带半导体雪崩结构在实现可见和红外光探测的同时还可以实现紫外光的响应;其中: 所述第一半导体单元层包括具有可见光吸收的二维材料;所述第二半导体单元层包括具有红外光吸收的二维材料。
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