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龙图腾网获悉广西电网有限责任公司电力科学研究院申请的专利基于TMR芯片阵列的电流传感器、电流测量系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116008644B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310015359.5，技术领域涉及：G01R19/25；该发明授权基于TMR芯片阵列的电流传感器、电流测量系统及方法是由周柯;金庆忍;莫枝阅;奉斌;王晓明;吴丽芳;卢柏桦设计研发完成，并于2023-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于TMR芯片阵列的电流传感器、电流测量系统及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于TMR芯片阵列的电流传感器、电流测量系统及方法，采用四个单轴TMR芯片；四个单轴TMR芯片位于同一假想圆上，每一TMR芯片分别位于假想圆圆周的四分点处，且四个单轴TMR芯片的磁敏感轴沿顺时针方向与假想圆相切；四个单轴TMR芯片均用于获取流过待测导线的待测电流在各芯片处所感应出的磁感应强度；所获取到的各磁感应强度值用于计算流过待测导线的电流值。本发明采用了四个TMR单轴芯片，以较少的芯片数量进行电流测量，电流计算方法简单，相较于电流互感器来说，价格低、功耗小、灵敏度高，且无需接入电路，测试方法更为安全和简单。

本发明授权基于TMR芯片阵列的电流传感器、电流测量系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种电流测量方法，应用基于TMR芯片阵列的电流传感器，所述基于TMR芯片阵列的电流传感器包括四个单轴TMR芯片，四个所述单轴TMR芯片形成环形阵列；其中，四个所述单轴TMR芯片位于同一假想圆上，且每一所述单轴TMR芯片分别位于假想圆的圆周的四分点处；四个所述单轴TMR芯片的磁敏感轴方向以同一时针方向与所述假想圆相切；其特征在于，包括： 采集待测电流在四个各所述单轴TMR芯片处所感应出的磁感应强度； 根据所述待测电流在各所述单轴TMR芯片处所感应出的磁感应强度和所述假想圆的半径，计算出待测导线中流过的电流值，具体包括： 建立电流计算公式，所述电流计算公式包含磁感应强度变量、假想圆半径变量和待测电流变量之间的对应关系；所述建立电流计算公式具体包括： 步骤一、四个所述单轴TMR芯片分别采集所述待测电流在所述各芯片处所感应出的磁感应强度Bt，其中，t为下标，代表四个所述单轴TMR芯片的编号，且1、3号芯片的连线与2、4号芯片的连线相互垂直； 步骤二、构建四个所述单轴TMR芯片采集到的磁感应强度Bt、所述待测电流在各芯片处所感应出的真实磁感应强度B't和同一个单轴TMR芯片检测到的Bt和B't之间的夹角αt之间的等式关系； 步骤三、根据安培定理建立所述待测电流I、各所述单轴TMR芯片到待测导线的距离Rt和所述真实磁感应强度B't之间的等式关系； 步骤四、在所述待测导线偏移距离、所述假想圆的半径与各所述TMR芯片到所述待测导线的偏移距离形成的三角形内，根据余弦定理构建所述夹角αt与所述假想圆半径R、所述待测导线的偏移距离M、各所述TMR芯片到所述待测导线的距离Rt之间的等式关系； 步骤五、在所述假想圆的直径和两个相对的TMR芯片到所述待测导线的距离形成的三角形内，依据余弦定理，构建所述夹角αt与所述假想圆半径R和所述两个相对的TMR芯片到所述待测导线的距离Rt、Rt+2之间的等式关系； 步骤六、根据步骤一到步骤五建立的各等式关系构建所述待测电流I的计算公式，即得到电流计算公式，表示为： aI2+bI+c＝0 其中， a＝-4πB1Rμ0 2+4πB2Rμ0 2-4πB3Rμ0 2+4πB4Rμ0 2 b＝32B1B3R2μ0π2-32B2B4R2μ0π2 c＝64B1B2B4R3π3-64B1B2B3R3π3-64B1B3B4R3π3+64B2B3B4R3π3 式中，B1、B2、B3和B4分别为四个单轴TMR芯片获取到的磁感应强度，μ0为真空磁导率； 将所述待测电流在各所述单轴TMR芯片处所感应出的磁感应强度和所述假想圆的半径代入所述电流计算公式中，计算出所述待测电流值。

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