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龙图腾网获悉成都凯路威电子有限公司申请的专利高可靠低成本快速读写OTP存储器及数据读写方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115862717B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211724907.3，技术领域涉及：G11C17/18；该发明授权高可靠低成本快速读写OTP存储器及数据读写方法是由彭泽忠;毛军华设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本高可靠低成本快速读写OTP存储器及数据读写方法在说明书摘要公布了：高可靠低成本快速读写OTP存储器及数据读写方法，涉及集成电路技术，本发明的高可靠低成本快速读写OTP存储器包括由M×N个反熔丝存储模块构成的阵列，M和N皆为大于2的整数，每个反熔丝存储模块包括第一存储单元和第二存储单元，第二存储单元由第二选择MOS管、第二隔离MOS管、第二栅电容和第二检测MOS管构成，第二选择MOS管的一个有源端连接所在列的第一列线，另一个有源端接第二检测MOS管的栅端；第二检测MOS管的一个有源端接第一列线，另一个有源端接第二列线，栅端通过第二隔离MOS管连接第二栅电容的有源端；所述栅电容由一个栅板、一个有源区和二者之间的栅氧化层构成。本发明从根本上克服的电荷串扰引起的误读。

本发明授权高可靠低成本快速读写OTP存储器及数据读写方法在权利要求书中公布了：1.高可靠低成本快速读写OTP存储器，包括由M×N个反熔丝存储模块构成的阵列，M和N皆为大于2的整数，其特征在于， 每个反熔丝存储模块包括第一存储单元和第二存储单元， 第一存储单元由第一选择MOS管、第一隔离MOS管、第一栅电容和第一检测MOS管构成，第一选择MOS管的一个有源端连接所在列的第一列线，另一个有源端接第一检测MOS管的栅端；第一检测MOS管的一个有源端接第一列线，另一个有源端接第二列线，栅端通过第一隔离MOS管连接第一栅电容的有源端； 第二存储单元由第二选择MOS管、第二隔离MOS管、第二栅电容和第二检测MOS管构成，第二选择MOS管的一个有源端连接所在列的第一列线，另一个有源端接第二检测MOS管的栅端；第二检测MOS管的一个有源端接第一列线，另一个有源端接第二列线，栅端通过第二隔离MOS管连接第二栅电容的有源端； 所述栅电容由一个栅板、一个有源区和二者之间的栅氧化层构成； 第一栅电容的栅端和第二栅电容的栅端连接公共行线； 第一选择MOS管的栅端连接所在行的第一行线； 第一隔离MOS管的栅端连接所在行的第二行线； 第二选择MOS管的栅端连接所在行的第三行线； 第二隔离MOS管的栅端连接所在行的第四行线。

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