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龙图腾网获悉复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司申请的专利混合导通机制鳍型栅场效应晶体管器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115911133B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211730772.1，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权混合导通机制鳍型栅场效应晶体管器件是由吴春蕾;许煜民;沈伯佥;赵斐;杨子辰;张卫;徐敏设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本混合导通机制鳍型栅场效应晶体管器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种混合导通机制鳍型栅场效应晶体管器件，包括鳍型栅场效应晶体管、第二源区与第二漏区；鳍型栅场效应晶体管包括衬底、鳍型沟道区、第一源区及第一漏区；第二源区的高度不低于第一源区与第一漏区之间的衬底的高度；第一源区与第一漏区中掺杂有第一离子；第二源区形成于衬底与第一源区之间，第二漏区形成于衬底与第一漏区之间，第二漏区与第二源区中分别掺杂有第一离子与第二离子。该方案解决了鳍型栅场效应晶体管的底部电流泄漏的问题，且通过增设第二源区和第二漏区，相当于在鳍型栅场效应晶体管的底部并联隧穿场效应晶体管器件结构，可以实现鳍型沟道扩散漂移电流和底部沟道带带隧穿电流混合导通，从而获得更优的超陡开关特性。

本发明授权混合导通机制鳍型栅场效应晶体管器件在权利要求书中公布了：1.一种混合导通机制鳍型栅场效应晶体管器件，其特征在于，包括： 鳍型栅场效应晶体管，所述鳍型栅场效应晶体管包括衬底、鳍型沟道区、第一源区、第一漏区、栅介质层与控制栅；所述第一源区与所述第一漏区沿第一方向排列于所述衬底的上方；所述鳍型沟道区形成于所述第一源区与所述第一漏区之间的所述衬底上；其中，所述第一源区与所述第一漏区中掺杂有第一离子，所述栅介质层包裹部分所述沟道层的表面，且包裹所述第一源区与所述第一漏区之间的所述衬底；所述控制栅包裹所述栅介质层的表面；其中，所述第一方向表征了所述鳍型栅场效应晶体管的沟道方向；第二源区与第二漏区，所述第二源区形成于所述衬底与所述第一源区之间，所述第二漏区形成于所述衬底与所述第一漏区之间；所述第二源区与所述第二漏区的高度不低于所述第一源区与所述第一漏区之间的所述衬底的高度； 其中，所述第二漏区中掺杂有所述第一离子，所述第二源区中掺杂有第二离子，且所述第一离子的类型与所述第二离子的类型不同。

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