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龙图腾网获悉TCL华星光电技术有限公司申请的专利阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117476651B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211736742.1，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法是由史金明设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法。其中，阵列基板包括衬底、掺杂层、有源层、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层以及源漏极层。掺杂层设于衬底上且包括第一掺杂部、第二掺杂部以及第三掺杂部。有源层设于衬底上，有源层包括第一有源子部和第二有源子部，第一有源子部分别与第一掺杂部和第二掺杂部连接，第二有源子部分别与第一掺杂部和第三掺杂部连接。栅极与第一掺杂部电连接，源漏极层包括第一电极和第二电极，第一电极与第二掺杂部连接，第二电极与第三掺杂部连接。本申请旨在可以解决现有技术中如何提高迁移率的同时避免漏电流过大的问题。

本发明授权阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括： 衬底； 掺杂层，所述掺杂层设于所述衬底上，所述掺杂层开设有第一开口和第二开口，所述掺杂层包括第一掺杂部、第二掺杂部以及第三掺杂部，所述第一掺杂部位于所述第一开口和所述第二开口之间，所述第二掺杂部位于所述第一开口远离所述第二开口的一侧，所述第三掺杂部位于所述第二开口远离所述第一开口的一侧； 有源层，所述有源层设于所述衬底上，且所述有源层包括第一有源子部和第二有源子部，所述第一有源子部位于所述第一开口内，且分别与所述第一掺杂部和所述第二掺杂部连接，所述第二有源子部位于所述第二开口内，且分别与所述第一掺杂部和所述第三掺杂部连接； 第一绝缘层，所述第一绝缘层设于所述衬底上，并覆盖所述掺杂层和所述有源层； 栅极，所述栅极设于所述第一绝缘层上，且所述栅极分别与所述第一有源子部和所述第二有源子部重叠，所述栅极与所述第一掺杂部之间的所述第一绝缘层开设有第一连接孔，所述栅极通过所述第一连接孔与所述第一掺杂部电连接； 第二绝缘层，所述第二绝缘层设于所述第一绝缘层上，并覆盖所述栅极；以及 源漏极层，所述源漏极层设置于所述第二绝缘层上，所述源漏极层与所述第二掺杂部之间的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层设置有第二连接孔，所述源漏极层与所述第三掺杂部之间的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层设置有第三连接孔，所述源漏极层包括第一电极和第二电极，所述第一电极通过所述第二连接孔与所述第二掺杂部连接，所述第二电极通过所述第三连接孔与所述第三掺杂部连接。

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