深圳市华星光电半导体显示技术有限公司刘赟夕获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利一种显示面板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117476654B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211738578.8，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权一种显示面板及其制备方法是由刘赟夕设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种显示面板及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种显示面板及其制备方法。本发明在第一非晶氧化物有源部的第一沟道部上制备第一多晶氧化物有源部，利用第一沟道部和第一多晶氧化物有源部形成的叠层结构实现高迁移率载流子通道的效果；利用第一接触部和第二接触部的单层结构实现低截止电流的效果。本发明在第二非晶氧化物有源部的第三接触部和第四接触部上分别制备第二多晶氧化物有源部以及第三多晶氧化物有源部，利用第二沟道部的单层结构实现高稳定性和低截止电流的效果；利用第三接触部和第二多晶氧化物有源部的叠层结构优化与第二源极的欧姆接触特性；利用第四接触部和第三多晶氧化物有源部的叠层结构优化与第二漏极的欧姆接触特性。
本发明授权一种显示面板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种显示面板，其特征在于，包括： 基板； 第一有源层，设置于所述基板上，其材质为非晶氧化物，其包括相互间隔的第一非晶氧化物有源部和第二非晶氧化物有源部； 第二有源层，设置于所述第一有源层远离所述基板的一侧，其材质为多晶氧化物，其包括相互间隔的第一多晶氧化物有源部、第二多晶氧化物有源部以及第三多晶氧化物有源部； 所述第一非晶氧化物有源部包括第一沟道部和分别位于所述第一沟道部两端的第一接触部和第二接触部，所述第一多晶氧化物有源部与所述第一沟道部对应设置； 所述第二非晶氧化物有源部包括第二沟道部和分别位于所述第二沟道部两端的第三接触部和第四接触部，所述第二多晶氧化物有源部与所述第三接触部对应设置，所述第三多晶氧化物有源部与所述第四接触部对应设置。
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