复旦大学万景获国家专利权
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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利一种基于分子自组装的高灵敏度气体传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116008357B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211718364.4，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权一种基于分子自组装的高灵敏度气体传感器及其制备方法是由万景;唐诗航;熊诗圣设计研发完成，并于2022-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于分子自组装的高灵敏度气体传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于分子自组装的高灵敏度气体传感器及其制备方法。本发明气体传感器制备采用分子自组装技术，包括：准备具有重掺杂的硅衬底层，轻掺杂的外延硅层，再一层重掺杂层；沉积金属层，在金属层表面进行分子自组装工艺，旋涂嵌段共聚物PSPMMA；经过高温退火，诱导形成纳米孔状结构；刻蚀除去PMMA得到PS纳米结构；转移纳米孔状结构至金属电极层；经刻蚀得到纳米孔结构；除去PS残胶；硅衬底下沉积金属作为导电的阴极金属电极接触。本发明工艺简单、成本较低、操作可控；制备的气体传感器具有规整的高密度栅极沟道，具备更高的气体吸附力，大大提高传感器灵敏度，可用于更小尺寸和更高精密度要求的场合。
本发明授权一种基于分子自组装的高灵敏度气体传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于分子自组装的气体传感器的制备方法，其特征在于，由以下几个部分组成：硅衬底层，外延硅层，掺杂硅层，金属导电层，具体制备步骤为： （1）准备具有重掺杂的硅衬底层，上一层轻掺杂的外延硅层，再上一层掺杂硅层，其掺杂类型和浓度和硅衬底层相同； （2）沉积一层金属导电层，作为导电的阳极金属电极接触； （3）在金属导电层的表面进行分子自组装工艺，旋涂嵌段共聚物PSPMMA； （4）经过高温退火，两种化学性质不同的单体分相，诱导形成纳米孔状结构； （5）氧气选择性刻蚀PSPMMA，除去PMMA，得到PS纳米结构； （6）以PS纳米结构为掩模，利用反应离子刻蚀用CHF3O2继续刻蚀，转移纳米孔状结构至金属导电层； （7）继续用SF6O2向下硅刻蚀，制备出具有一定深度的纳米孔结构； （8）干法湿法除去PS残胶； （9）硅衬底层下沉积金属导电层，作为导电的阴极金属电极接触。
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