西安电子科技大学祝杰杰获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种低射频耗散的N面HEMT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116169168B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211709825.1，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种低射频耗散的N面HEMT器件及其制备方法是由祝杰杰;马晓华;周钰晰;秦灵洁;张博文设计研发完成，并于2022-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低射频耗散的N面HEMT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低射频耗散的N面HEMT器件，包括：外延基片，其自下而上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlxGa1‑xN渐变势垒层、AlN插入层、AlGaN势垒层以及GaN沟道层；钝化层，设置在GaN沟道层上方；源电极和漏电极，分别设置在外延基片两端AlGaN势垒层的上方；栅电极，设置在钝化层上；其中，AlxGa1‑xN渐变势垒层与GaN缓冲层的界面处进行了δ‑掺杂。本发明一方面在靠近NPI处的渐变势垒层中进行了δ‑掺杂，提高了在NPI处电离后带正电的Si离子数量，进一步补偿了极化负电荷；另一方面在渐变势垒层与势垒层中间引入了AlN插入层，不仅可以使价带远离费米能级，还可以削弱势垒层与渐变势垒层中的极化电场，从而减小价带向费米能级的靠近速度，实现价带的远离，改善NPI处的射频耗散。
本发明授权一种低射频耗散的N面HEMT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低射频耗散的N面HEMT器件，其特征在于，包括： 外延基片，其自下而上依次包括衬底1、GaN缓冲层2、AlxGa1-xN渐变势垒层3、AlN插入层4、AlGaN势垒层5以及GaN沟道层6；其中，所述AlxGa1-xN渐变势垒层3中Al的组分X自下而上由0%渐变至30%； 钝化层7，设置在所述GaN沟道层6上方； 源电极8和漏电极9，分别设置在所述外延基片两端AlGaN势垒层5的上方； 栅电极10，设置在所述钝化层7上； 其中，所述AlxGa1-xN渐变势垒层3与所述GaN缓冲层2的界面处进行了δ-掺杂。
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