深圳市华星光电半导体显示技术有限公司李才文获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利OLED显示面板及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115811904B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211701230.1,技术领域涉及:H10K59/12;该发明授权OLED显示面板及其制备方法是由李才文;覃事建;袁夏梁设计研发完成,并于2022-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本OLED显示面板及其制备方法在说明书摘要公布了:本申请实施例公开了一种OLED显示面板及其制备方法,该OLED显示面板包括遮光层、平坦层、阳极层、发光材料层、阴极层,遮光层包括同层设置的遮光结构、第一结构,阳极层包括同层设置的阳极、第三结构,位于非发光区的第一结构和第三结构电连接,发光材料层设置于阳极层远离衬底的一侧,阴极层设置于发光材料层远离衬底的一侧,其中,在非发光区,第一结构接入一定值电压,定值电压小于或等于20V,发光材料层设置有第一过孔,阴极层通过第一过孔与第三结构电连接;通过阴极层与第一结构之间电连接并形成电势差,使阴极层的信号从阴极层传输到第一结构,从而减少阴极层信号传输的路径长度,降低了阴极层的压降。
本发明授权OLED显示面板及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种OLED显示面板,包括发光区、非发光区,其特征在于,所述OLED显示面板包括: 阵列基板,所述阵列基板包括衬底、设置于所述衬底上方的遮光层、设置于所述遮光层远离所述衬底一侧的源漏极层,所述遮光层包括同层设置的遮光结构、第一结构,所述源漏极层包括同层设置的源极、漏极、第二结构,所述第一结构和所述第二结构位于所述非发光区; 平坦层,所述平坦层设置于所述源漏极层远离所述衬底的一侧; 阳极层,所述阳极层设置于所述平坦层远离所述衬底的一侧,所述阳极层包括同层设置的阳极、第三结构,所述第三结构位于所述非发光区; 发光材料层,所述发光材料层设置于所述阳极层远离所述衬底的一侧; 阴极层,所述阴极层设置于所述发光材料层远离所述衬底的一侧; 其中,所述第二结构与所述第一结构电连接,所述第三结构与所述第二结构电连接,所述发光材料层设置有贯穿设置的第一过孔,所述阴极层通过所述第一过孔与所述第三结构电连接; 所述第三结构为双层叠层结构,所述双层叠层结构包括第一透明导电层、设置于所述第一透明导电层远离所述衬底一侧的银层,所述银层包括位于所述第一透明导电层表面的本体部、与所述本体部相连且位于所述第一过孔内的延伸部,所述延伸部与所述阴极层连接。
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