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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种抗辐射的高压纵向三极管结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116110939B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211694591.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种抗辐射的高压纵向三极管结构是由周锌;疏鹏;陈浪涛;乔明;张波设计研发完成，并于2022-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗辐射的高压纵向三极管结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种抗辐射的高压纵向三极管结构，该器件包括第二导电类型发射区第一导电类型阱区第二导电类型阱区第二导电类型埋层区第一导电类型衬底第一导电类型分段注入区、浅槽隔离氧化层、第二导电类型发射极注入区、第一导电类型基极注入区、第二导电类型集电极注入区、发射极金属电极，基极金属电极、集电极金属电极；本发明通过在发射结基区一侧表面引入高掺杂P型区，削弱了总剂量辐射致陷阱电荷对发射结注入效率的影响，从而阻止了基区表面复合电流的增加，抑制了器件共发射极电流放大系数的退化，并且通过发射结基区一侧表面高掺杂P型注入采用z轴方向的分段结构，削弱三极管初始的共发射极电流放大系数的下降。

本发明授权一种抗辐射的高压纵向三极管结构在权利要求书中公布了：1.一种抗辐射的高压纵向三极管结构，其特征在于：包括位于底部的第一导电类型衬底5、位于第一导电类型衬底5上方的第二导电类型埋层区4、位于第二导电类型埋层区4上方的第二导电类型阱区3、位于第二导电类型埋层区4上方第二导电类型阱区3左侧的第一导电类型阱区2、位于第一导电类型阱区2内部左上方的第二导电类型发射区1、位于第一导电类型阱区2内部上方第二导电类型发射区1右侧的第一导电类型分段注入区6、位于第二导电类型发射区1和第一导电类型阱区2上方发射结上方的一个浅槽隔离氧化层7、位于第一导电类型阱区2和第二导电类型阱区3上方集电结上方的另一个浅槽隔离氧化层7、位于第二导电类型发射区1内部上方的第二导电类型发射极注入区8、位于第一导电类型阱区2内部上方第一导电类型分段注入区6右侧的第一导电类型基极注入区9、位于第二导电类型阱区3内部上方的第二导电类型集电极注入区10、位于第二导电类型发射极注入区8上方的发射极金属电极11、位于第一导电类型基极注入区9上方的基极金属电极12、位于第二导电类型集电极注入区10上方的集电极金属电极13；从器件发射极到集电极为x正方向，器件表面到底部为y正方向，z方向垂直x方向和y方向，第一导电类型分段注入区6在Z方向上为分段结构。

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