中山大学;中山大学深圳研究院罗乐获国家专利权
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龙图腾网获悉中山大学;中山大学深圳研究院申请的专利一种高次势阱下线性离子阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115910420B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211689207.5，技术领域涉及：G21K1/087；该发明授权一种高次势阱下线性离子阵列是由罗乐;朱峰;饶欣欣;陆鹏飞设计研发完成，并于2022-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高次势阱下线性离子阵列在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高次势阱下线性离子阵列，第一RF电极夹设在第一DC电极和第二DC电极之间，第二RF电极夹设在第三DC电极和第四DC电极之间,若干个第一DC电极和第二DC电极两两组成DC电极对沿同一轴向按高低电压间隔设置排列设置，若干个第三DC电极和第四DC电极两两组成DC电极对沿同一轴向按高低电压间隔设置排列设置，在第一DC电极、第二DC电极、第三DC电极和第四DC电极共同夹持的空间形成离子链囚禁区域。采用多段电极结构，在离子阱空间激发特定轴向高次势以实现均匀线性离子阵列，解决了基于二维表面离子阱囚禁离子链离子间距存在较大差异，限制了离子在实验中的可操作性的技术问题。
本发明授权一种高次势阱下线性离子阵列在权利要求书中公布了：1.一种高次势阱下线性离子阵列，其特征在于，包括第一RF电极和第二RF电极，以及若干个可独立控制电压的第一DC电极、第二DC电极、第三DC电极和第四DC电极； 第一RF电极夹设在第一DC电极和第二DC电极之间，第二RF电极夹设在第三DC电极和第四DC电极之间； 若干个第一DC电极和第二DC电极两两组成DC电极对沿同一轴向按高低电压间隔设置排列设置，若干个第三DC电极和第四DC电极两两组成DC电极对沿同一轴向按高低电压间隔设置排列设置，在第一DC电极、第二DC电极、第三DC电极和第四DC电极共同夹持的空间形成离子链囚禁区域； DC电极对至少5对。
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