上海交通大学林祖德获国家专利权
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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利一种用于激光约束核聚变常温实验的沟槽靶及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116013554B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211689342.X，技术领域涉及：G21B1/19；该发明授权一种用于激光约束核聚变常温实验的沟槽靶及其制备方法是由林祖德;刘景全;王晓林;刘武;文惠敏;尤敏敏设计研发完成，并于2022-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于激光约束核聚变常温实验的沟槽靶及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于激光约束核聚变常温实验的沟槽靶及其制备方法，该方法包括：通过3D打印工艺制作两个压缩面，两个所述压缩面之间留有间隙并形成预设夹角，形成双面沟槽结构；通过3D打印工艺制作所述双面沟槽结构的支撑结构；于所述双面沟槽结构的外部形成抗压缩涂层；提供聚合物压缩柱状壳，作为压缩及烧蚀层结构；将所述聚合物压缩柱状壳置于所述双面沟槽结构的中部，所述聚合物压缩柱状壳的张口正对所述间隙，将所述聚合物压缩柱状壳的两端分别与两个所述压缩面连接。本发明解决了高精度沟槽靶制备的工艺难题，且使得压缩沟槽间的角度及距离可得到高精度控制，同时具有操作流程简单、成本较低、沟槽支撑体可批量加工的优点。
本发明授权一种用于激光约束核聚变常温实验的沟槽靶及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于激光约束核聚变常温实验的沟槽靶的制备方法，其特征在于，包括： 通过3D打印工艺制作两个压缩面，两个所述压缩面之间留有间隙并形成预设夹角，形成双面沟槽结构； 通过3D打印工艺制作所述双面沟槽结构的支撑结构，其中：所述支撑结构包括： 顶部连接支撑，围设于所述双面沟槽结构的顶部； 外围连接支撑，设于所述双面沟槽结构的外围； 底部支撑，位于所述外围连接支撑的下方，所述底部支撑上开设圆形通孔，压缩过程中等离子体喷射出以后自所述通孔自由扩散； 于所述双面沟槽结构的外部形成抗压缩涂层； 提供聚合物压缩柱状壳，作为压缩及烧蚀层结构； 将所述聚合物压缩柱状壳置于所述双面沟槽结构的中部，所述聚合物压缩柱状壳的张口正对所述间隙，将所述聚合物压缩柱状壳的两端分别与两个所述压缩面连接。
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