买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利半导体结构及半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118263311B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211675492.5，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法是由肖芳元设计研发完成，并于2022-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及半导体结构的形成方法，结构包括：衬底，包括第一区和第二区；位于第一区上的第一纳米线结构，包括：第一底部结构和位于第一底部结构上垂直堆叠的若干第一纳米线；位于第二区上的第二纳米线结构，包括：第二底部结构和垂直堆叠的若干第二纳米线；位于衬底上的隔离层，第一区上的隔离层顶部表面低于第二区上的隔离层顶部表面；位于隔离层上的第一栅极结构和第二栅极结构，第一栅极结构环绕第一纳米线，第二栅极结构环绕第二纳米线；位于第一栅极结构两侧的第一源漏掺杂区，第一源漏掺杂区底部平面高于或齐平于隔离层顶部平面；位于第二栅极结构两侧第二纳米线结构内和隔离层内的第二源漏掺杂区。所述半导体结构性能得到提升。

本发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括第一区和第二区； 在第一区上形成初始第一纳米线结构，所述初始第一纳米线结构包括：第一底部结构和位于第一底部结构上垂直堆叠的若干第一堆叠结构； 在第二区上形成初始第二纳米线结构，所述初始第二纳米线结构包括：第二底部结构和位于第二底部结构上垂直堆叠的若干第二堆叠结构； 在衬底上形成隔离层，所述隔离层位于初始第一纳米线结构侧壁表面和初始第二纳米线结构侧壁表面，所述隔离层暴露出第一堆叠结构侧壁表面和第二堆叠结构侧壁表面，所述第一区上的隔离层顶部表面低于所述第二区上的隔离层顶部表面，所述第一区上的隔离层顶部表面低于第一底部结构顶部表面； 在隔离层上形成第一伪栅极结构和第二伪栅极结构，所述第一伪栅极结构横跨所述初始第一纳米线结构，所述第二伪栅极结构横跨所述初始第二纳米线结构； 去除第一伪栅极结构两侧的部分所述初始第一纳米线结构，在第一伪栅极结构两侧的初始第一纳米线结构内形成第一开口，所述第一开口的底部平面与隔离层顶部平面齐平； 去除第二伪栅极结构两侧的部分所述初始第二纳米线结构，在第二伪栅极结构两侧的初始第二纳米线结构内和隔离层内形成第二开口，所述第一开口和第二开口的深度相同； 在第一开口内形成第一源漏掺杂区； 在第二开口内形成第二源漏掺杂区。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。