中国人民解放军陆军装甲兵学院李嘉麒获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军陆军装甲兵学院申请的专利一种同步磁阻电机磁路计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116131697B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211667202.2，技术领域涉及：H02P21/14；该发明授权一种同步磁阻电机磁路计算方法是由李嘉麒;魏曙光;袁东;刘春光;张运银;赵梓旭;朱宁龙;杨恒程;张冠岳;许非凡设计研发完成，并于2022-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种同步磁阻电机磁路计算方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种同步磁阻电机磁路计算方法，包括：通过对同步磁阻电机不同层磁障结构的转子磁动势进行分析处理，得到不同层磁障结构的转子磁动势表达式，并利用所述不同层磁障结构的转子磁动势表达式，得到任意层磁障结构的转子磁动势通用方程；利用所述任意层磁障结构的转子磁动势通用方程，计算同步磁阻电机的气隙磁密；利用所述同步磁阻电机的气隙磁密，计算同步磁阻电机输出的电磁转矩。
本发明授权一种同步磁阻电机磁路计算方法在权利要求书中公布了：1.一种同步磁阻电机磁路计算方法，其特征在于，包括： 通过对同步磁阻电机不同层磁障结构的转子磁动势进行分析处理，得到不同层磁障结构的转子磁动势表达式，并利用所述不同层磁障结构的转子磁动势表达式，得到任意层磁障结构的转子磁动势通用方程；其中，所述转子磁动势通用方程包括： 其中，G为因数矩阵；Ur为各层磁障生成的转子磁动势，θb e为磁障角度；θs e为定子参考坐标轴中的位置电角度； 利用所述任意层磁障结构的转子磁动势通用方程，计算同步磁阻电机的气隙磁密，其包括： 其中，Bgθs为气隙磁密；μ0为真空磁导率；Lg为气隙长度；Usθs为定子磁动势；Urθs为转子磁动势； 利用所述同步磁阻电机的气隙磁密，计算同步磁阻电机输出的电磁转矩，其包括： 其中，τm为洛伦兹力密度；D为转子外径；Lstk为电机轴向长度。
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