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龙图腾网获悉南方科技大学申请的专利一步合成铟基或镓基半导体材料的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115974132B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211654356.8，技术领域涉及：C23C16/40；该发明授权一步合成铟基或镓基半导体材料的方法是由周波;李伦昂;罗圣峰;王泽设计研发完成，并于2022-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一步合成铟基或镓基半导体材料的方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体材料制备领域，公开了一步合成铟基或镓基半导体材料的方法。该方法通过火焰合成法完成，包括：将铟源或镓源作为前驱体，用载气将前驱体的蒸汽带入燃烧器混合室中；将燃气和氧化性气体通入燃烧器混合室中，与前驱体的蒸汽混合形成预混气；预混气在燃烧器的上表面被点燃，形成平面火焰，预混气在平面火焰中反应形成铟基或镓基半导体材料。本发明的工序简单、耗时短、生产效率高，易于工业化大规模生产。

本发明授权一步合成铟基或镓基半导体材料的方法在权利要求书中公布了：1.一步合成铟基或镓基半导体材料的方法，其特征在于，包括实施所述方法的装置，包括： 进样装置，所述进样装置包括第一进气管路、第二进气管路、第三进气管路、第四进气管路和鼓泡瓶；所述第四进气管路与所述鼓泡瓶的入口连接，所述鼓泡瓶的出口分别与所述第一进气管路、所述第二进气管路、所述第三进气管路连接； 燃烧器，所述燃烧器包括第一进气口、第二进气口、第三进气口和燃烧器混合室，所述鼓泡瓶中的气体通过所述第二进气口通入所述燃烧器混合室，所述第四进气管路中的气体通过所述第一进气口和所述第三进气口通入所述燃烧器；所述燃烧器的中心位置设置有圆柱形多孔介质盘片，在所述圆柱形多孔介质盘片上套设有圆环形多孔介质盘片； 滞止装置，所述滞止装置设置于所述燃烧器的上方，包括衬底和滞止板，所述衬底设置于所述滞止板的下表面； 所述方法通过火焰合成法完成，包括以下步骤： S1：将铟源或镓源作为前驱体放入鼓泡瓶中；氮气分两路从第四进气管路通入，一路通入鼓泡瓶中，作为载气将鼓泡瓶中的前驱体的蒸汽带入燃烧器混合室；另一路通入燃烧器的第一进气口和第三进气口，使其通过圆环形多孔介质盘片做保护气； S2：第二进气管路和第三进气管路用于通入燃气，第一进气管路用于通入氧化性气体，将燃气和氧化性气体通过第二进气口通入燃烧器混合室中，与前驱体的蒸汽混合形成预混气； S3：预混气通过安装在燃烧器混合室上方的圆柱形多孔介质盘片的上表面并被点燃，形成一维平面火焰，预混气在一维平面火焰中反应形成铟基或镓基半导体纳米颗粒，通过调节循环水泵的流量变化，控制安装在滞止板下表面的衬底的表面温度，使铟基或镓基半导体纳米颗粒沉积在衬底上，形成薄膜结构的铟基或镓基半导体材料。

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