中国科学院长春光学精密机械与物理研究所孙晓娟获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利一种图形化h-BN薄膜及MIS半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115747758B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211646475.9，技术领域涉及：C23C16/34；该发明授权一种图形化h-BN薄膜及MIS半导体器件的制备方法是由孙晓娟;祁建海;陈洋;石芝铭;黎大兵;蒋科;贾玉萍设计研发完成，并于2022-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种图形化h-BN薄膜及MIS半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种图形化h‑BN薄膜及MIS半导体器件的制备方法。本发明的h‑BN薄膜的制备方法，包括以下步骤：在衬底上制备图形化GaN；在图形化GaN上制备Cu以形成图形化Cu；利用氮化硼前驱体，在图形化Cu上生长得到h‑BN薄膜，即得图形化h‑BN薄膜；本发明的h‑BN薄膜的制备方法，利用Cu、GaN两种衬底的催化特性的区别，实现h‑BN在Cu衬底上生长而无法在GaN上生长，达到原位生长微图案化h‑BN的目的，从而避免传统二维材料图形刻蚀工艺带来的边缘缺陷，导致载流子复合和漏电等问题；将本发明制备的h‑BN薄膜作为电介质层制备MIS半导体器件，可以提高半导体器件的性能和工作稳定性。
本发明授权一种图形化h-BN薄膜及MIS半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种图形化h-BN薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供衬底； 在所述衬底上制备图形化GaN薄膜，在所述衬底上制备图形化GaN薄膜具体包括： 在所述衬底上生长GaN薄膜； 在所述GaN薄膜上生长SiO2薄膜； 在所述SiO2薄膜上涂覆第一光刻胶，曝光出与图形化GaN相适配的图案，显影，刻蚀SiO2薄膜，移除第一光刻胶，形成图形化SiO2； 刻蚀GaN薄膜后，再刻蚀掉图形化SiO2，即得到图形化GaN； 在所述图形化GaN薄膜上制备Cu以形成厚度为40～60nm的图形化Cu薄膜； 利用氮化硼前驱体，在图形化Cu薄膜上生长得到h-BN薄膜，即得图形化h-BN薄膜。
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