福建省晋华集成电路有限公司孔果果获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利一种半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115939174B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211644161.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种半导体装置及其制造方法是由孔果果;吴冈;葛明茹;何世伟;朱贤士;陈俊坤设计研发完成，并于2022-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括源极结构、栅极结构、第一开孔、半导体结构、栅极介电层、绝缘结构以及空隙。栅极结构设置在源极结构之上。第一开孔在垂直方向上贯穿栅极结构。半导体结构部分设置在第一开孔中，且栅极结构的至少一部分位于半导体结构在水平方向上的两相对侧。栅极介电层设置在第一开孔中且位于半导体结构与栅极结构之间。绝缘结构的至少一部分设置在第一开孔中，半导体结构的至少一部分位于绝缘结构与栅极介电层之间，且空隙位于绝缘结构中。如此，可达到改善半导体装置操作表现的效果。
本发明授权一种半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 源极结构； 栅极结构，设置于所述源极结构的上方； 第一开孔，在垂直方向上贯穿所述栅极结构，所述垂直方向为空间直角坐标系的z轴方向； 介电层，在所述垂直方向上设置于所述栅极结构与所述源极结构之间； 半导体结构，所述半导体结构的一部分设置于所述第一开孔中，所述栅极结构的一部分位于所述半导体结构在水平方向上的两相对侧，所述水平方向为空间直角坐标系的x轴或y轴方向； 栅极介电层，设置于所述第一开孔中，位于所述半导体结构与所述栅极结构之间； 绝缘结构，所述绝缘结构的一部分设置于所述第一开孔中，且所述半导体结构的一部分位于所述绝缘结构与所述栅极介电层之间； 空隙，设置于所述绝缘结构中，所述半导体结构的一部分位于所述空隙与所述绝缘结构之间。
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