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龙图腾网获悉清华大学申请的专利基于电子束熔丝沉积大滴过渡的点阵结构零件制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116213752B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211610969.1，技术领域涉及：B22F10/28；该发明授权基于电子束熔丝沉积大滴过渡的点阵结构零件制备方法是由都东;梁志跃;王力;张昊宇;李自祥;廖振宇;常保华设计研发完成，并于2022-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于电子束熔丝沉积大滴过渡的点阵结构零件制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于电子束熔丝沉积大滴过渡的点阵结构零件制备方法，包括：沉积开始前，设定合适的熔滴过渡距离；确定所述熔滴过渡距离后设定电子束能量参数和偏转参数，使电子束熔化丝材；先选择熔滴脱离模式后所述丝材熔化形成熔滴执行单层结构熔丝沉积；在单层结构熔丝沉积完成后停止电子束流及丝材传送，冷却已沉积层至顶部温度低于阈值温度；按照零件设计要求调节相对位置，执行下一层沉积。本发明解决了现有点阵结构零件制造难度大、质量不佳的问题。

本发明授权基于电子束熔丝沉积大滴过渡的点阵结构零件制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于电子束熔丝沉积大滴过渡的点阵结构零件制备方法，其特征在于，包括： 沉积开始前，设定合适的熔滴过渡距离； 确定所述熔滴过渡距离后设定电子束能量参数和偏转参数，使电子束熔化丝材； 先选择熔滴脱离模式后所述丝材熔化形成熔滴执行单层结构熔丝沉积； 在单层结构熔丝沉积完成后停止电子束流及丝材传送，冷却已沉积层至顶部温度低于阈值温度； 按照零件设计要求调节相对位置，执行下一层沉积； 其中，所述先选择熔滴脱离模式后丝材熔化形成熔滴执行单层结构熔丝沉积，具体包括： 丝材熔化形成熔滴后的熔滴脱离模式包括自然脱离模式和强迫脱离模式； 所述自然脱离模式为随着丝材送进熔化过程的进行熔滴重力不断增大，超过力学平衡条件后而从丝材自然脱离并过渡至熔池的模式； 所述强迫脱离模式为在熔滴达到所述自然脱离的临界力学平衡条件之前，当所述熔滴达到设计所需金属量时，在所述丝材上未熔化部分与所述熔滴交界处快速施加高于当前熔丝过程所用能量的能量脉冲，使所述熔滴从所述丝材提前脱离并过渡至所述熔池的模式； 所述在单层结构熔丝沉积完成后停止电子束流及丝材传送，冷却已沉积层至顶部温度低于阈值温度，具体包括： 熔滴从丝材脱离并过渡到熔池后关闭电子束流并停止丝材的送进； 对已沉积层进行冷却，至已沉积层顶部温度低于设定阈值温度。

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