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龙图腾网获悉南京南智先进光电集成技术研究院有限公司申请的专利一种薄膜铌酸锂波导刻蚀工艺的检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115825016B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211485191.6，技术领域涉及：G01N21/59；该发明授权一种薄膜铌酸锂波导刻蚀工艺的检测方法是由尹志军;叶志霖;崔国新;汤济;许启诚设计研发完成，并于2022-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种薄膜铌酸锂波导刻蚀工艺的检测方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种薄膜铌酸锂波导刻蚀工艺的检测方法，检测方法包括：根据预设波导结构掩膜版图，通过待测薄膜铌酸锂波导刻蚀工艺制备待测样品；所述预设波导结构掩膜版图中包括多个待测区域，每个待测区域中设置有一个微环波导和一个跑道波导；通过耦合光路测试所述待测样品，获取不同待测区域中波导的品质因子；根据所述品质因子拟合不同待测区域的微环波导损耗；根据所述微环波导损耗标定所述待测薄膜铌酸锂波导刻蚀工艺的检测结果。如此，通过不同待测区域中波导的品质因子拟合出不同待测区域的微环波导损耗，再根据所述微环波导损耗的性能，可以准确地检测出待测薄膜铌酸锂波导刻蚀工艺是否稳定。

本发明授权一种薄膜铌酸锂波导刻蚀工艺的检测方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜铌酸锂波导刻蚀工艺的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括： 预设波导结构掩膜版图； 根据所述波导结构掩膜版图，通过待测薄膜铌酸锂波导刻蚀工艺处理工艺样片，制备待测样品；所述待测样品上包括多个待测区域，每个待测区域中设置有一个微环波导和一个跑道波导； 通过耦合光路测试所述待测样品，获取每个待测区域中的所述微环波导和所述跑道波导的品质因子； 所述通过耦合光路测试所述待测样品，获取每个待测区域中的所述微环波导和所述跑道波导的品质因子，包括： 通过耦合光路将光从所述跑道波导的一端耦入，从所述跑道波导的另一端耦出； 通过可调谐激光器扫描得到所述待测样品不同待测区域的透射光谱； 从所述透射光谱中读取谐振峰的半峰宽、谐振波长和谐振峰透射率； 根据以下公式获取每个待测区域中的所述跑道波导的品质因子： 根据以下公式获取每个待测区域中的所述微环波导的品质因子： 其中，Ql为所述跑道波导的品质因子，Qi是所述微环波导的品质因子，λ为所述谐振波长，ΔλBW为所述谐振峰的半峰宽，T0为所述谐振峰透射率； 根据所述每个待测区域中所述微环波导和所述跑道波导的品质因子拟合不同待测区域的微环波导损耗； 根据所述不同待测区域的所述微环波导损耗标定所述待测薄膜铌酸锂波导刻蚀工艺的检测结果。

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